不能吃冰淇淋的仙女

C3M0065090D相关介绍

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C3M0065090D相关介绍


特征

·新型C3M SiC MOSFET技术

·高阻断电压,低导通电阻

·低电容的高速开关

·具有低反向恢复的快速本征二极管(Orr)

·无卤素,符合RoHS标准


C3M0065090D优点

·更高的系统效率

·降低冷却要求

·功率密度增加

·提高系统切换频率


应用

·再生能源

·EV电池罩

·高压DC / DC转换器

·开关电源


规格参数

FET 类型:N 沟道

技术:SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss):900V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):78 毫欧 @ 20A,15V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30.4nC @ 15V

Vgs(最大值):+18V,-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 600V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):125W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3