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集成电路失效原因的三个阶段

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  可靠性(Reliability)是对产品耐久力的测量, 我们主要典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线(Bathtub Curve)来表示。

  集成电路——LMV358MX失效原因的三个阶段

  Region (I) 被称为早夭期(Infancy period), 这个阶段产品的失效率快速下降,造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷;

  Region (II) 被称为使用期(Useful life period), 这个阶段产品的失效率保持稳定,失效的原因往往是随机的,比如温度变化等等;

  Region (III) 被称为磨耗期(Wear-Out period) 这个阶段产品的失效率会快速升高,失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。

  军工级器件老化筛选

  元器件寿命试验

  ESD等级、Latch_up测试评价

  高低温性能分析试验

  集成电路微缺陷分析

  封装缺陷无损检测及分析

  电迁移、热载流子评价分析

  根据试验等级分为如下几类:

  一、使用寿命测试项目(Life test items)

  EFR:早期失效等级测试( Early fail Rate Test )

  目的:评估工艺的稳定性,加速缺陷失效率,去除由于天生原因失效的产品

  测试条件:在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试

  失效机制:材料或工艺的缺陷,包括诸如氧化层缺陷,金属刻镀,离子玷污等由于生产造成的失效

  参考标准:

  JESD22-A108-A

  EIAJED- 4701-D101

  HTOL/ LTOL:高/低温操作生命期试验(High/ Low Temperature Operating Life )

  目的:评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力

  测试条件: 125℃,1.1VCC, 动态测试

  失效机制:电子迁移,氧化层破裂,相互扩散,不稳定性,离子玷污等