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标准单元和I / O定制单元设计尺寸

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用于标准和I/O单元设计的WiCkeD - 用户利益


  • 智能,快速,可靠!

  • 快速检测关键晶体管和非线性与工作条件

  • 确定每个角落的性能最差情况操作条件

  • 优化性能@标称+最差情况下的操作条件和角落!


标准细胞


标准单元是一组晶体管和互连结构,提供布尔逻辑功能(例如,AND,OR,XOR,XNOR,反相器)或存储功能(触发器或锁存器)。最简单的单元是元素NAND,NOR和XOR布尔函数的直接表示,尽管常用的复杂度更高(例如2位全加器或复用D输入触发器)。 

标准单元设计目标和挑战


标准单元设计的主要目标是: 

  • 优化标准细胞主要性能

    • 改善时间,节省电力

  • 标准单元性能鲁棒性的分析与优化

    • 确保对过程参数变化的免疫力(全局和局部变化,不匹配)

    • 统计分析

  • 为期望的实施实现可靠的解决方案在这里,标准单元设计者面临许多挑战和决策,例如哪些性能要优化,哪些约束要应用或哪些设计参数变化。此外,他还必须面对不同的操作参数(电压,温度等ICfans),多个工艺角(SNSP,FNSP等)和多个负载或斜率转换。进一步的限制通常也是模拟资源和CPU时间。

    • 保持电气约束(多电压工作点,频率)

    • 匹配布局要求(Area,DFM)


解决方案 - 针对标准单元设计和可靠性流程的MunEDA WiCkeD分析和优化



MunEDA WiCkeD标准单元设计流程的分析和优化


使用MunEDA WiCkeD的不同分析和优化工具,标准单元设计师可以解决许多上述挑战。他首先从测试包的选择和描述开始,包括测试平台(例如Flip Flop,Latch,oa)。主电路特性由电路拓扑,技术和性能定义给出。使用功能强大的WiCkeD CED约束编辑器,设计人员只需单击鼠标即可添加所有所需的网表,然后定义约束和性能,并检查初始条件和角点。用户可以使用WiCkeD CRN Corner Run Analysis为每个约束执行角点运行。在此之后,使用WiCkeD BAS基本和灵敏度分析,设计人员识别关键晶体管并检查非线性与定义的操作参数。

在此之后,他可以使用功能强大且经过多次硅验证的WiCkeD DNO确定性优化算法来确定每个角落的性能最差情况,并最终运行性能优化@标称+最差情况下的操作条件和角落。目标是以最小的迭代次数收敛所有表现,包括满足所有约束以保证可行的解决方案 


MunEDA WiCkeD用于标准电池可靠性流程



使用MunEDA WiCkeD,标准单元设计半导体人员可以非常轻松地设置其电路以进行统计并执行不匹配和良率分析。因此,他只需使用已设置单元的WiCkeD CED约束编辑器来设置不匹配参数,激活不匹配器件并匹配物理上相同的晶体管。对于更深入的统计分析,可以使用许多强大的高σ分析方法,如拐角运行分析,蒙特卡罗分析,过程灵敏度分析,参数分布,性能分布,参数扫描,最坏情况分析和诊断,错配分析, 还有很多。WiCkeD独特而强大的经过硅验证的YOP产量优化可最大程度地提高产量和性能可靠性。 


MunEDA WiCkeD - 技术支持


  • WiCkeD集成并支持主要设计框架和模拟器以及独立或定制环境

  • MunEDA WiCkeD支持许多不同技术节点中的许多不同的代工技术和PDK