MURA240T3G 半导体详细参数及定义
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发表于 3/5/2019 9:50:40 AM
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MURA240T3G 半导体详细参数及定义:
标准包装: | 5,000 |
类别: | 分立半导体产品 |
家庭: | 单二极管/整流器 |
系列: | - |
包装: | 带卷(TR) |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向(Vr)(最大值): | 400V |
电流 - 平均整流(Io): | 2A |
不同 If 时的电压 - 正向(Vf): | 1.3V @ 2A |
速度: | 快速恢复 = 200mA(Io) |
反向恢复时间(trr): | 65ns |
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流: | 5µA @ 400V |
不同?Vr,F 时的电容: | - |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装: | SMA |
工作温度 - 结: | -65°C ~ 175°C |
物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性差的材料,如煤、人工晶体、琥珀、陶瓷等称为绝缘体。而把导电性比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可。
本征半导体:不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下,半导体的价带是满带(见能带理论),受到热激发后,价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带,空带中存在电子后成为导带,价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位,称为空穴。空穴导电并不是实际运动,而是一种等效。电子导电时等能量的空穴会沿其反方向运动[1] 。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流,分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴,电子-空穴对消失,称为空穴。复合时释放出的能量变成电磁辐射(发光)或晶格的热振动能量(发热)。在一定温度下,电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子- 空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大,实际应用不多。