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RK3588 DDR电源电路设计详解

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RK3588 VCC_DDR电源PCB设计

1、VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求,连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽,路径不能被过孔分割太严重,必须计算有效线宽,确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

2、VCC_DDR的电源在外围换层时,要尽可能的多打电源过孔(9个以上0.5*0.3mm的过孔),降低换层过孔带来的压降;去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致,否则会大大降低电容作用。

3、如图1所示,原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面,电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置,其余的去耦电容尽量靠近RK3588,如图2所示。

4、RK3588 芯片 VCC_DDR 的电源管脚,每个管脚需要对应一个过孔,并且顶层走“井”字形,交叉连接,如图3所示,建议走线线宽 10mil。

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当LPDDR4x 时,链接方式如图6-49所示:


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5、VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil,外围区域宽度不小于200mil,尽量采用覆铜方式,降低走线带来压降(其它信号换层过孔请不要随意放置,必须规则放置,尽量腾出空间走电源,也有利于地层的覆铜,如图6-50所示)。


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原文链接:https://mp.weixin.qq.com/s/QmHakhPvPv1svMiB8KF1cw

微信截图_20230713170709.png

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