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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由...

Everspin MRAM解决方案的新应用程序

Evespin宣布JAG Jakob的PdiCSTM过程控制系统使用了该公司的MR4A16B 16Mb MRAM芯片。Everspin说,JAG选择了Everspin的PdiCSTM系列产品中的16Mb MRAM,因为它是唯一能确保20年使用寿命和24/7正常运行时间的技术。

eMRAM究竟是融合还是替代?

eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产,将会加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景将被看好...

5G助推NAND FLASH发展

据分析机构最新数据,因数据中心对市场产生的带动作用影响,2019年第四季度的NAND Flash的总出货量季增近10%,市场逐渐出现供不应求现象。经历了一段降价期,NAND Flash存储器终于迎来一小段上升期。随着5G通信和AI技术的发展...

everspin生态系统和制造工艺创新

everspin公司在生产嵌入式MRAM领域是行业的领先者,主要生产的MRAM有两种类型——切换MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器启用或FPGA,该公司也一直在通过其伙伴关系发展其生态系统

嵌入式MRAM关键应用与制造商

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中,STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM,有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案...

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来,我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品,锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化...

NAND MCP厂家JSC济州半导体

JSC济州半导体是全球最大的移动应用解决方案提供商之一的NAND MCP厂家。JSC济州半导体NAND MCP产品线主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP...

​Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺

Everspin Technologies宣布已修订与GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM联合开发协议(JDA),以为高级12nm FinFETMRAM解决方案的未来项目设定条件。Everspin协议包括40nm,28nm和22nm工艺,现在还包括12nm。

MRAM与FRAM技术比较

MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)架构,其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储(而不是随时间推移而“泄漏”的电荷),因此MRAM可以提供非常长的数据保留...

STT-MRAM高密度低能耗技术

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单,它省略了带磁性外壳的附加写信息线,最大限度地减少了制备工艺程序,并使存储单元的横截面积减小、存储密度高...

快速写入的高密度MRAM技术

基于TMR和巨大隧穿磁阻效应,总共衍生出两代主要的MRAM器件类型:第一代是磁场驱动型MRAM,即通过电流产生的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作,典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM;第二代是电流驱动型自旋转移矩MRAM(STT-MRA...

MR25H40非易失性串行接口MRAM

Everspin 是设计,制造和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋传递扭矩MRAM(STT-MRAM)的全球领导者,其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心,云存储,能源,工业...

STT-MRAM万能存储器芯片

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储...

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRA...