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SRAM芯片is62wv51216

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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。
 
当CS1为HIGH(取消选择)或CS2为LOW(取消选择)或CS1为LOW,CS2为HIGH且LB和UB均为HIGH时,器件将处于待机模式,在该模式下,可通过CMOS输入降低功耗水平。
 
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable(WE)控制存储器的写入和读取。数据字节允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。
 
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封装在JEDEC标准的48引脚迷你BGA(7.2mmx8.7mm)和44引脚TSOP(TYPE II)中。
 
SRAM芯片型号IS62WV51216,管脚图如下:

 
IS62WV51216的管脚总的来说大致分为:电源线、地线、地址线、数据线、片选线、写使能端、读使能端和数据掩码信号线。
 
特征
•高速访问时间:45ns,55ns
•CMOS低功耗运行
–36mW(典型值)运行
–12µW(典型值)CMOS待机
•TTL兼容接口级别
•单电源
–1.65V--2.2V VDD(62WV51216ALL)
–2.5V--3.6V VDD(62WV51216BLL)
•完全静态操作:无时钟或刷新需要
•三态输出
•高低字节数据控制
•可提供工业温度
•无铅

ISSI  8Mb LP SRAM芯片

DensityOrg.Part NumberVcc.Speed(ns)Pkg(Pins)
8Mb1Mx8IS62C10248AL5V45,55TSOP2(44),BGA(48)
8Mb1Mx8IS62WV10248DALL/BLL1.65-3.6V35,45,55sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb512Kx16IS62WV51216ALL/BLL1.65-3.6V45,55TSOP2(44),BGA(48)
8Mb512Kx16IS62C51216AL5V45,55TSOP2(44),BGA(48)
8Mb512Kx16IS62/65WV51216EALL/EBLL1.65-3.6V35,45,55sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb1Mx8IS62WV10248EBLL1.65-3.6V35,45,55sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb1Mx8IS65WV10248EALL1.65-3.6V35,45,55sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb1Mx8IS65WV10248EBLL1.65-3.6V35,45,55sTSOP1(32),TSOP12(32),BGA(36),SOP(32)
8Mb1Mx8IS62/65WV10248EALL/EBLL1.65-3.6V45,55TSOP2(44),BGA(48)