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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

eMRAM究竟是融合还是替代?

eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产,将会加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景将被看好...

IS61LV25616国产SRAM芯片替换

2018年中国进口了超过900亿美元的存储芯片,这其中三星电子、SK海力士和美光电子三分天下,而国内厂商的份额为——0%。DRAM凭借体积小、价格低、集成度高、功耗低、读写速度快等特点,一直...

SRAM芯片is62wv51216

ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态RAM,组织为512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备。 当C...

如何辨别SRAM是否属于动态随机存储器

一般计算机系统所使用的随机存取内存主要包括动态与静态随机存取内存两种,差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新,才能维系数据保存,SRAM的数据则不需要刷新过程,在上电期间数据不会丢失。SRAM是一种具有静止存取功能内存的...

SRAM芯片测试

完成SRAM芯片的测试,需要设计测试电路板。测试电路板主要提供测试接口和电源。芯片的控制信号和数据信号由红色飓风II-Xilinx FPGA 开发板提供,使用ISE13.2 软件建立测试工程,编写Verilog 测试程序(主要包括按照时序提...

静态随机存储SRAM工艺

基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器,因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程,不需要增添任何额外的工艺步骤。 如图1a中所示的那样,基本交织耦合锁...

高性能异步SRAM技术角度

当前有两个不同系列的异步SRAM:快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。从技术角度看来,这种权衡是合理的。在低功耗SRAM中,通过采用特殊栅诱导漏极泄漏(GIDL)控制技术控制待机电流来控制待机功耗。这些技术需要在上拉或下...

静态存储SRAM设计

SRAM即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。在工业与科学用的很多子系统,汽车电子等等都用到了SRAM。现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM。实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备...

SRAM结构框图解

SRAM 即静态RAM.它也由晶体管组成,SRAM的高速和静态特性使它们通常被用来作为Cache存储器。计算机的主板上都有Cache插座。 下图所示的是一个SRAM的结构框图。 由上图看出SRAM一般由五大部分组成,即存储单元阵列、地址译...

静态随机存储器SRAM存储数据原理

RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的,虽然存储的都是代表0和1的代码,但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储...

外部SRAM的种类

外部SRAM注意事项为使外部SRAM器件达到出最佳性能,建议遵循以下原则:使用与连接的主系统控制器的接口数据带宽相同的SRAM。如果管脚使用或板上空间的限制高于系统性能要求,可以使用较连接的控制器的数据带宽小一些的SRAM设备,以便减少管脚...

新型存储器以工业级规模生产

半导体设备头龙大厂应用材料推出新的制造系统,能够以原子级的精准度,进行新式材料的沉积,而这些新材料是生产前述新型存储器的关键。应用材料推出最先进的系统,让这些新型存储器能以工业级的规模稳定生产。 台积电近年来积极推动将嵌入式快闪存储器(eF...

SRAM静态随机存储器芯片的读写周期

一、要保证正确地读/写,必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合。一般SRAM存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图。Intel 2114芯片的读、写周期时序如图所示。二、 读周期读操作时,必须保证片选信号为低电平,读写信号为高电平...

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

新兴的MRAM技术结合了磁性材料和硅集成电路,从而形成了快速,可靠的非易失性RAM(NVRAM)。TAMU将非易失性存储器与扩展的温度操作,无限的耐用性以及长期的数据保留相结合,即使断电也是如此。

STM32F103C8产品特性

意法半导体型号STM32F103C8可代替兼容灵动微电子MM32F103C8T6,该产品使用高性能的 ARM® CortexTM-M3 为内核的 32 位微控制器,典型工作频率可达144MHZ,内置高速存储器,丰富的增强型 I/O 端口和外设连接到外部总线。本产品包含 1个 12 位的 ADC、2 个比较器、2 个 16 位通用定时器、2 个 32 位通用定时器、2 个 16 位基本定时器