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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

新型MRAM技术量产实现低功耗

在新型 RAM 技术中,MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗,同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身访问速度也相当快,这便意味着不仅可以用它取...

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由...

eMRAM究竟是融合还是替代?

eMRAM属于新型存储技术,同目前占据市场主流的NAND闪存相比较,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在边缘设备中具有替代NAND闪存和部分SRAM芯片的潜质。它在22nm的工艺下投产,将会加快新型存储技术的应用进程,未来发展前景将被看好...

MRAM关键工艺步骤

非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于MRAM关键工艺步骤包括哪几个方面.(1)底部电极的形成(参考图1):经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦,并为MTJ堆栈沉积提供超光滑的表面...

嵌入式MRAM关键应用与制造商

STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中,STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM,有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案...

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来,我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品,锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化...

​Everspin和Globalfoundries将其MRAM协议扩展到12nm工艺

Everspin Technologies宣布已修订与GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM联合开发协议(JDA),以为高级12nm FinFETMRAM解决方案的未来项目设定条件。Everspin协议包括40nm,28nm和22nm工艺,现在还包括12nm。

MRAM与FRAM技术比较

MRAM技术MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结(1T-1MTJ)架构,其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储(而不是随时间推移而“泄漏”的电荷),因此MRAM可以提供非常长的数据保留...

快速写入的高密度MRAM技术

基于TMR和巨大隧穿磁阻效应,总共衍生出两代主要的MRAM器件类型:第一代是磁场驱动型MRAM,即通过电流产生的磁场驱动存储单元的磁矩进行写入操作,典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM;第二代是电流驱动型自旋转移矩MRAM(STT-MRA...

STT-MRAM万能存储器芯片

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储...

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRA...

新型存储器以工业级规模生产

半导体设备头龙大厂应用材料推出新的制造系统,能够以原子级的精准度,进行新式材料的沉积,而这些新材料是生产前述新型存储器的关键。应用材料推出最先进的系统,让这些新型存储器能以工业级的规模稳定生产。 台积电近年来积极推动将嵌入式快闪存储器(eF...

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。MR...

Everspin串口串行mram演示软件分析

MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟(300MHz)测量。图1&2显示了针对动力总成应用的具有不同非易失性存储器接口的每个分区的读/写时间。这些表显示大多数读/写周期小于2ms。

到2029年MRAM收入将增长170倍

对MRAM存储器的巨大需求将刺激设备支出的稳步增长。预计MRAM设备市场将从2018年的2600万美元增长到2029年的854美元-增长33倍。