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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

Everspin MRAM解决方案的新应用程序

Evespin宣布JAG Jakob的PdiCSTM过程控制系统使用了该公司的MR4A16B 16Mb MRAM芯片。Everspin说,JAG选择了Everspin的PdiCSTM系列产品中的16Mb MRAM,因为它是唯一能确保20年使用寿命和24/7正常运行时间的技术。

STT-MRAM高密度低能耗技术

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单,它省略了带磁性外壳的附加写信息线,最大限度地减少了制备工艺程序,并使存储单元的横截面积减小、存储密度高...

STT-MRAM万能存储器芯片

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储...

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案,Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM,可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。通过添加STT-MRAM来补充或替换SSD控制...

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性,具有无限的耐用性。 图1.STT-MRAM的MJT细胞 Everspi...

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品,该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体,它包含了对...

Everspin串口串行mram演示软件分析

MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟(300MHz)测量。图1&2显示了针对动力总成应用的具有不同非易失性存储器接口的每个分区的读/写时间。这些表显示大多数读/写周期小于2ms。

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来,一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流,增加热稳定性;另一方面Sony、Hitachi、Renes...

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进,SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同时,还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道...

everspin展示28nm单机1Gb STT-MRAM芯片

Everspin自成立长期以来一直是MRAM产品开发的领导者,向市场展示了其28nm单机1Gb STT-MRAM芯片。everspin在磁存储器设计,制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过6...

基于90nm CMOS技术的功能齐全的64Mb DDR3 STT-MRAM

自旋转矩磁阻随机存取存储器(ST-MRAM)有望成为一种快速,高密度的非易失性存储器,可以增强各种应用程序的性能,特别是在用作数据存储中的非易失性缓冲器时设备和系统。为此,everspin开发了基于90nmCMOS技术的全功能64Mb DD...