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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

新型MRAM技术量产实现低功耗

在新型 RAM 技术中,MRAM 对物联网和边缘计算设备具有特别有吸引力。因为它能实现比目前这类硬件上的首选存储类内存 -NAND闪存-低得多的功耗,同时实现非易失性数据存储。非易失性MRAM 本身访问速度也相当快,这便意味着不仅可以用它取...

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由...

everspin生态系统和制造工艺创新

everspin公司在生产嵌入式MRAM领域是行业的领先者,主要生产的MRAM有两种类型——切换MRAM和STT MRAM。STT MRAM需要控制器启用或FPGA,该公司也一直在通过其伙伴关系发展其生态系统

STT-MRAM高密度低能耗技术

STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器,是磁性存储器MRAM的二代产品。STT-MRAM存储的结构简单,它省略了带磁性外壳的附加写信息线,最大限度地减少了制备工艺程序,并使存储单元的横截面积减小、存储密度高...

STT-MRAM万能存储器芯片

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储...

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRA...

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。MR...

Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)是一种持久性存储技术,可利用各种工业标准接口提供性能,持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品,该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体,它包含了对...

Everspin串口串行mram演示软件分析

MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟(300MHz)测量。图1&2显示了针对动力总成应用的具有不同非易失性存储器接口的每个分区的读/写时间。这些表显示大多数读/写周期小于2ms。

everspin非易失性存储器MR4A16B

Everspin科技公司表示:“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合,以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品的发展蓝图,我们将不断提高MRAM产品的容量,并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。” 磁性随机存储器(MR...

到2029年MRAM收入将增长170倍

对MRAM存储器的巨大需求将刺激设备支出的稳步增长。预计MRAM设备市场将从2018年的2600万美元增长到2029年的854美元-增长33倍。

STT-MRAM存在的两个弊端

随着自旋转移矩效应的发现以及材料和结构的优化,基于自旋转移矩效应的STT-MRAM器件应运而生。自从自旋转移矩效应被证实以来,一方面研究人员通过大量的努力尝试降低磁化反转的临界电流,增加热稳定性;另一方面Sony、Hitachi、Renes...

everspin MRAM在汽车市场中的应用

在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比,当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比,未来的汽车动力总成控制器可能需要更快,...

企业SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM

随着企业固态驱动器(SSD)在系统性能和更小的外形尺寸方面不断前进,SSD解决方案提供商面临着更大的挑战。在提高密度及耐用性,性能和添加重要的新功能的同时,还需要继续保护飞行中的数据免受电源故障的影响。通过使用更多具有更快接口速度的闪存通道...

各大原厂看好MRAM发展

MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本。在寿命方面,由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性...