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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

非易失性MRAM诞生过程

MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础,MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层,和一个通过隧道结与其隔离的自由层。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由...

为MRAM工艺打造的量测方案

在不久的将来,我们将看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出现在诸如物联网(IoT)、微控制器(MCU)、汽车、边缘运算和人工智能(AI)等应用中。美国EVERSPIN还提供了几种独立的MRAM产品,锁定包括航天、汽车、储存、工厂自动化...

各大原厂看好MRAM发展

MRAM是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性,可以兼做内存和硬盘的新型存储介质。写入速度可达NAND闪存的数千倍,此外,其制作工艺要求低,良品率高,可以很好的控制成本。在寿命方面,由于MRAM特殊的存储方式,产品的寿命耐久性...

everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

无线电和微电子(RIM)最近选择了everspin 4Mb串行SPI MRAM用于RIM789智能电表。RIM三相智能电表已在俄罗斯获得GOST 52320-2005认证,已指定在恶劣环境中部署30年,具有自我诊断能力,并能抵抗气候,机械和电磁影响。

最为精密的MRAM芯片制造系统

MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄500000倍,相近于一颗原子的大小,如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性、介面品质等参数是关键所在。因为...

everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随...

Everspin非易失性MRAM切换技术

MRAM是一种利用电子自旋的磁性提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中,从而在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。

STT-MRAM存储器技术结构图

STT-MRAM不止能够高速运行,其特色在于即使电源关闭了也能保留数据,并且功耗也非常低.由于这些特性使得STT-MRAM十分适合应用于嵌入式存储器市场,而包括PC、行动设备等储存装置,也都十分关注STT-MRAM的发展脚步.

非易失性MRAM在哪些方面适合物联网?

“事物”是指可以通过传感器读取或通过电子方式确定和控制其状态的任何事物。 通过互联网,物联网将能够彼此通信并做出决策,而无需人工干预。 物联网的概念意味着将对象或机器连接到互联网,以便可以收集,共享和完善数据以支持更高的人类生活质量。 ...