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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟,并且读/写寿命不受限制。 与其他串行存储器...

EVERSPIN非易失性存储器具吸引力的嵌入式技术

相关研究指出,如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有...

everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随...

Everspin非易失性MRAM切换技术

MRAM是一种利用电子自旋的磁性提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中,从而在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。

STT-MRAM存储器技术结构图

STT-MRAM不止能够高速运行,其特色在于即使电源关闭了也能保留数据,并且功耗也非常低.由于这些特性使得STT-MRAM十分适合应用于嵌入式存储器市场,而包括PC、行动设备等储存装置,也都十分关注STT-MRAM的发展脚步.