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PW3400A,PW3401A低内阻MOS管芯片

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PW3400A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3400A是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。

PW3400A具有比PW2302A更高的ID电流值,和更高的VDS耐压

PW3400A基本参数:VDS = 30V, ID =5.8A,RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V

PW3400A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。


PW3401A采用先进的沟槽技术,高密度,低导通电阻,是一个非常有效和可靠的MOS管装置。PW3401A是一颗P沟道的低内阻场效应MOS管。

PW3401A具有比PW2301A更高的ID电流值,和更高的VDS耐压

PW3401A基本参数:VDS = -30V,ID = -4.2A,RDS(ON) < 55mΩ @ VGS=-10V

PW3401A采用SOT23-3L环保材质的封装形式。


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