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基于PN8305的六级能效充电器套片方案

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芯朋微热门产品PN8305M/H同步整流转换器,与该公司PSR产品PN8386配合使用,轻松实现5V3A六级能效电源方案。


  1.封装及脚位配置图
  PN8386封装及脚位配置图


  PN8386集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(264VAC)小于50mW。
  PN8305封装及脚位配置图


  PN8305包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
  2.PCB及DEMO实物图


  3.方案典型应用图


  4.方案特性
  ·PCBA尺寸:42.5mm*41.3mm*20mm
  ·输入电压:90~265Vac全电压
  ·输出电压:5V
  ·输出电流:3A
  ·平均效率:≥81.4%(满足六级能效要求)
  ·高压启动待机功耗<75mW
  ·启动时间:<200ms(90Vac)
  ·拥有输出短路保护,输出过流保护,输出欠压保护(PCB端3.1V以下),VDD过压保护,FB分压电阻开路短路保护,以及电流检测电阻Rcs开短路保护,过温保护。
  5.测试数据


  备注:在CC工作状态下且系统PCB电压低于3.1V时,PN8386会进入保护状态。
  6.EMC测试
  ·EMI传导、辐射满足EN55022 Class B标准要求,裕量均大于6.0dB
  ·ESD满足IEC61000-4-2,8kV/15kV等级要求
  ·EFT满足IEC 61000-4-4: 2004,4kV等级要求
  ·Surge满足IEC 61000-4-5:2005,1kV等级要求
  ·交流绝缘满足3.75kV,60s, 漏电流小于5mA要求
  7.应用要点


  PN8386工作在DCM模式,忽略传输瞬态Tr和Tf,导通时间、去磁时间和振荡时间分别为:


  PN8386在T2时间内间接采样输出电压信号,为减小漏感振荡对采样的影响,最小T2时间应足够长(5V3A应用建议大于3.2us):


  备注:电源在小负载工况下,PN8386的Vcs=0.17V以避免音频噪音。
  PN8305须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断,其最小导通时间由RT电阻设定:


  因此,RT电阻建议取值为: