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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

静态存储SRAM设计

SRAM即静态随机存取存储器。它是具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路便能保存它内部存储的数据。在工业与科学用的很多子系统,汽车电子等等都用到了SRAM。现代设备中很多都嵌入了几千字节的SRAM。实际上几乎所有实现了电子用户界面的现代设备...

SRAM结构框图解

SRAM 即静态RAM.它也由晶体管组成,SRAM的高速和静态特性使它们通常被用来作为Cache存储器。计算机的主板上都有Cache插座。 下图所示的是一个SRAM的结构框图。 由上图看出SRAM一般由五大部分组成,即存储单元阵列、地址译...

静态SRAM芯片工作原理

下面谈谈当存储字节的过程是怎样的:下面的示意图显示的也仅仅是最简单状态下的情况,当内存条上仅剩一个RAM芯片的情况。对于X86处理器,它通过地址总线发出一个具有22位二进制数字的地址编码--其中11位是行地址,11位是列地址,这是通过RAM...

静态随机存储器SRAM存储数据原理

RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的,虽然存储的都是代表0和1的代码,但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储...

STT-MRAM万能存储器芯片

传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件,它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度,具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储...

everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRA...

​Microchip SPI串行SRAM和NVSRAM器件

Microchip的SRAM和NVSRAM系列(SPI串行SRAM和NVSRAM设备)提供了一种轻松添加外部RAM的方式,且具有以下特性功能 特性低功耗CMOS技术:4μA最大待机电流 标准4引脚SPI接口:芯片选择、数据输入、数据输出和时...

外部SRAM的种类

外部SRAM注意事项为使外部SRAM器件达到出最佳性能,建议遵循以下原则:使用与连接的主系统控制器的接口数据带宽相同的SRAM。如果管脚使用或板上空间的限制高于系统性能要求,可以使用较连接的控制器的数据带宽小一些的SRAM设备,以便减少管脚...

SDRAM的引脚封装标准

SDRAM从发展到现在已经经历了五代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,第五代DDR4 SDRAM。第一代SDRAM采用单端(Single-Ended)时钟信...

新型存储器以工业级规模生产

半导体设备头龙大厂应用材料推出新的制造系统,能够以原子级的精准度,进行新式材料的沉积,而这些新材料是生产前述新型存储器的关键。应用材料推出最先进的系统,让这些新型存储器能以工业级的规模稳定生产。 台积电近年来积极推动将嵌入式快闪存储器(eF...

基于NAND闪存的SSD解决方案的STT-MRAM

作为克服现有基于NAND闪存的SSD的解决方案,Everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM,可通过提供高速非易失性存储来提高SSD的系统性能和可靠性。机上数据。通过添加STT-MRAM来补充或替换SSD控制...

物联网领域带动灵动微MCU市场需求

随着智慧物联的普及和使用广泛,许多传统工业产品在正在更新换代。例如工业传感器集成无线通信的功能、家电和智能家居类产品等,都需要具有更强的人机交互体验和更高的产品质量。这种需求极大地带动了MCU市场需求。近年来物联网的逐步落地,让MCU的应用...

SRAM静态随机存储器芯片的读写周期

一、要保证正确地读/写,必须注意CPU时序与存储器读/写周期的配合。一般SRAM存储器芯片手册都会给出芯片读/写周期的时序图。Intel 2114芯片的读、写周期时序如图所示。二、 读周期读操作时,必须保证片选信号为低电平,读写信号为高电平...

Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性,具有无限的耐用性。 图1.STT-MRAM的MJT细胞 Everspi...

三星正在改善1Gb MRAM寿命问题

据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器(eFlash)的嵌入式磁阻随机访问内存(eMRAM),容量为1Gb,测试芯片的优良率已达90%。随着5G物联网时代的来临,存储器领域发展快速,而在这一领域,韩系厂商拥有着比较明显的优势。MR...