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深圳市英尚微电子有限公司是英尚国际有限公司旗下大陆子公司,成立于2007年,是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。

everspin非易失性存储器中MRAM的潜在用途

由于MRAM将数据存储为磁性状态,因此与现有的非易失性存储器相比,它具有许多重要的优势。与其他非易失性解决方案相比,MRAM的优势在于:

everspin 4Mb串行SPI MRAM专用于智能电表

无线电和微电子(RIM)最近选择了everspin 4Mb串行SPI MRAM用于RIM789智能电表。RIM三相智能电表已在俄罗斯获得GOST 52320-2005认证,已指定在恶劣环境中部署30年,具有自我诊断能力,并能抵抗气候,机械和电磁影响。

汽车工业中的everspin随机存取存储器MRAM

汽车工业正在引入新的非易失性存储器,例如mram芯片,相控存储器(PCRAM)和RRAM。这些新的存储器在汽车改变状态条件期间提供了存储和检索数据方面的改进。动力总成控制研究与发展(PCRA)团队与Everspin和微控制器供应商合作,使用下一代动力总成控制器快速构建外部MRAM的原型。

航空航天专用Everspin非易失性MRAM存储器

新兴的MRAM技术结合了磁性材料和硅集成电路,从而形成了快速,可靠的非易失性RAM(NVRAM)。TAMU将非易失性存储器与扩展的温度操作,无限的耐用性以及长期的数据保留相结合,即使断电也是如此。

最为精密的MRAM芯片制造系统

MRAM是一种非常复杂的薄膜多层堆叠,由10多种不同材料和超过30层以上的薄膜与堆叠组成,部分薄膜层的厚度仅达数埃,比人类的发丝还要薄500000倍,相近于一颗原子的大小,如何控制这些薄膜层的厚度、沉积均匀性、介面品质等参数是关键所在。因为...

MR25H10-1Mb密度SPI串行接口MRAM

everspin的MR25H10是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备,由131,072个8位字组成。MR25H10提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序,没有写延迟,并且读/写寿命不受限制。 与其他串行存储器...

灵动微本土MCU厂商具有吸引力的增长点

作为各种电子产品的控制和处理核心,微控制单元(MCU)器件是一种集成微处理器(CPU)、存储器(RAM/ROM)、计数器,以及I/O端口的芯片。从MCU内核架构来看,单片机有历经多年的8051,基于Arm CortexM内核的微处理器,以及...

武汉新芯推出XM25QW非易失性spi nor flash芯片

XM25QWxxC系列产品采用业界先进的50nm Floating Gate工艺,可使便携式设备的电池寿命延长1.5倍以上。此外客户可以通过宽电压功能实现更好的库存管理

EVERSPIN非易失性存储器具吸引力的嵌入式技术

相关研究指出,如果以嵌入式MRAM取代微控制器中的eFlash和SRAM,可节省高达90%的功耗;如果采用单一晶体管MRAM取代六个晶体管SRAM,则可实现更高的位元密度和更小的芯片尺寸,这些功率与面积成本优势将使MRAM成为边缘侧设备的有...

everspin自旋转矩MRAM技术

MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成:自由层(free layer),固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随...

灵动微内核Cortex-M3八大知识点

近两年随着电子产品智能需求提升,灵动微通用类MCU需求暴涨,例如仅仅一个智能门就需要三颗MCU如果需要实现无线控制,还需要能支持无线蓝牙的的MCU。而对于低阶机器人来说,就需要23颗MCU ,高阶机器人需要30多颗MCU,此外如果需要机器人...

STT-MRAM技术改变现状

到目前为止,设计人员可以使用的存储技术是易变的,这意味着在断电后,存储器中的数据内容会丢失。但是,随着Everspin Technologies推出256Mb STT-MRAM,系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存,但可以提供持久...

flash存储器原理及作用是什么?

flash存储器又称闪存(快闪存储器),是一种电可擦可编程只读存储器的形式,是可以在操作中被多次擦或写,EEPROM与高速RAM成为当前最常用且发展最快的两种存储技术。计算机的BIOS 、数字照相机等的存储卡中...

灵动微在通用32位MCU中位居前列

中国电子拥有完整的集成电路产业链,已经形成了从设计工具软件开发、芯片设计和加工、产品封装与测试、系统集成到产业化应用的产业发展格局,具备国内位居前列的芯片设计、生产工艺制造、芯片测试/封装等完整集成电路产业链生态。传统MCU(Micro C...

Everspin非易失性MRAM切换技术

MRAM是一种利用电子自旋的磁性提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中,从而在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。