HV9910B使用注意事项

现在在搞一个基于HV9910B非隔离LED驱动，在 网络搜索下使用HV9910B需要注意的地方：

1、  hHV9910及类似电路本质上是连续电流型反激电源,它天生就有两个缺点,一是需要很大的磁能以维持电流的稳定,这意味着需要一个相当大的不饱和的磁芯;二是开关元件电压、电流应力非常高,需要性能相当好的开关管和超快二极管,这往往导致成本和可靠性问题, 用工子型磁芯18X16做的电感在调试时,两个脚交换一下位置电流就差很多,还有放在板的背面和正面电流也不一样，所以建议使用EE13等密封式骨架磁芯作为电感。

2、  HV9910的缺陷,并不是大家传说的炸机,炸机是应用设计不当造成--;

也不是恒流精度不高,如果单以芯片的半程监控的电流采样原理看,的确精度不高,很难做到±3%内; 但是如果再增加其它反馈环路(比如次级光藕反馈等等),则电流控制精度可以做到很高,逼近±1%. 其实大部分应用中±5%的电流精度就足够了.如果非要高精度成本增加1~2元,应该也能接受吧.

HV9910的缺点是: 高压打火,一致性不好, 价格较贵.
   高压打火仅偶尔发生在--长期潮湿应用环境中,VIN高压脚与CS低压脚间发生,原因两者片内、外距离太近,SOP8封装加剧些, 但其SOP16封装的极难发生.
   一致性不好的原因是半导体超高压工艺制程的固有缺陷,此芯片虽然采用了一些Metal fuse(熔断微调),但终究难以完全解决; 应用时,如果要求高,可以采用在线性调光脚用可调电阻,来一个个灯微调,此法虽繁,但有额外收获是可以补偿芯片外面那些分离元器件的一致性偏差(可累计),对大批量产很有好处.
   第3大缺点,也是最大缺点: 价格太贵. 现在LED灯贵遮盖了它,将来LED灯急剧降价时,这点就突出了. 尤其在那些1w~5W的小功率灯应用,它们价格低,对成本更敏感.
   以上三大缺点才是芯片本身问题, 我衷心希望国人在设计HV9910替代兼容芯片时,能解决这些缺点; 如果有既能完全兼容HV9910,又改进上述缺点的国产芯片,我将带头采用,免费帮忙宣传!

3、  HV9910上电烧掉是因为vin脚耦合了尖峰高电压,导致了电压击穿,不是上电的充电电流过大导致热击穿(内部vin和cs的间距才550um).

4、  1:稳定后,是否串电阻不影响整体效率,也即串联的电阻只是消耗了内置的稳压源的一部分功耗,不额外消耗功率;
2:上电的过程不管是否串联电阻,或者串联不同大小的电阻,消耗的总能量是一定的;
3:烧ic的是能量,不是功率,换句话说,如果在单位时间产生了w的功耗,而芯片只能传导出去部分功耗,就有可能烧ic;

分歧在于烧ic的原因是能量还是电压.
看了你的分析,还是觉得有一定道理,不过有一个假设条件有问题,就是平均阻抗为1kohm.
对于内置的稳压器而言,其核心电路为一个MOS管或者BJT,都存在饱和或者线性的概念.我们以9910为例,内置了一个耗尽型的高压NMOS管,其最大的线性区工作电压vds大约为3V~4V之间,这个值对应于什么概念呢?你所说的R1=1kohm就在这一段区域,vd超过这一段区域,NMOS进入饱和区,电阻开始下降,如在10V时,电阻约为2kohm,在50V时,电阻约为6k,在100V时,电阻约为10k,在200V时,电阻约为25k,在300V时,电阻约为40k.
以上数据均按饱和电流为10mA计,实际电路上电时,电流小于这个值,所以请相信这些值,实际电路的电阻比我给的要大2~10倍.
现在你可以再分析一下不串联电阻是否会导致发热烧芯片.

原帖出处：http://bbs.dianyuan.com/topic/548359