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DC-DC转换器系统损耗揭秘

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    在本文中,我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗,从第1部分中的图3(此处为图1)开始:VDS和ID曲线随时间变化的图像。

1:开关损耗

    让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时,驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分,您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段(图1中的t1),源极电压(VGS)正接近MOSFET的阈值电压,VTH和漏电流为零。因此,在此期间的功率损耗为零。在t2时段,MOSFET的寄生输入电容(CISS)开始充电,而漏极电流开始流经MOSFET,呈线性增加。对降压拓扑结构来讲,该电流是负载电流,而漏源电压(VDS)是输入电压(VIN)。阅读全文