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M24256-BRMN6TP参数

型号M24256-BRMN6TP批号1401+厂商STM库存3616封装SOP8产品种类: EEPROM存储容量: 256 Kbit组织: 32 K x 8接口类型: I2C最大时钟频率: 0.4 MHz访问时间: 900 ns电源电压(最...

TI品牌LP2980IM5-5.0/NOPB参数

系列-包装剪切带(CT)零件状态稳压器拓扑正,固定式电压 - 输出5V电流 - 输出50mA电压 - 跌落(典型值)0.12V @ 50mA稳压器数1电压 - 输入最高 16V电流 - 限制(最小值)100mA工作温度-40°C ~ 125...

LMV358LIDT SOP-8 运算放大器参数

产品属性类别 Integrated Circuits (ICs)系列 -包装 Tape & Reel (TR)零件状态 Active放大器类型 General Purpose电路数 2输出类型 Rail-to-Rail压摆率 0.7 V/µ...

STMicroelectronics品牌LM358ADT参数

制造商 STMicroelectronics产品种类 运算放大器-运放安装风格 SMD/SMT封装/箱体 SO-8电源电压-最大 30V每个通道的输出电流 40mA通道数量 2ChannelGBP-增益带宽产品 1.1MHzSR-转换速率 ...

ON品牌MC79M12CDTRKG参数

型号:MC79M12CDTRKG数量:31928厂商:ON Semiconductor描述:Linear Voltage Regulator IC Negative Fixed 1 Output -12V 500mA DPAK-3包装剪切带...

MOS管STD2NK100Z参数

制造商 STMicroelectronics产品种类 MOSFET技术 Si安装风格 SMD/SMT封装/箱体 DPAK-3通道数量 1Channel晶体管极性 N-ChannelVds-漏源极击穿电压 1000VId-连续漏极电流 1.8...

嵌入式处理器EPF10K70RC240-4N

产品属性类别 Integrated Circuits (ICs)系列 FLEX-10K零件状态 ObsoleteLAB/CLB 数 468逻辑元件/单元数 3744I/O 数 189电压 - 电源 4.75 V ~ 5.25 V安装类型 ...

STM809MWX6F SOT-23 微处理器复位芯片

类型 简单复位/加电复位受监控电压数 1输出 推挽式,图腾柱复位 低有效复位超时 最小为 140 ms电压-阈值 4.38V工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)安装类型 表面贴装封装/外壳 SOT-23-3

SN74AHC1G02DBVR TI品牌参数

产品属性类别 Integrated Circuits (ICs) > Logic - Gates and Inverters系列 74AHC包装 Tape & Reel (TR)零件状态 Active逻辑类型 NOR Gate电路数 1输入...

低VF肖特基10V60SPTO-277

型号10V60SP批号1841厂商YFW佑风微数量20000封装TO-277说明低VF肖特基10V60SPTO-277

L7912CV-DG技术资料

型号L7912CV-DG批号1728+厂商ST封装TO-220-3说明1片起售 1小时发货 技术支持对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求湿气敏感性等级(MS...

DG403DY-T1-E3 MOS管技术资料

系列DG品牌聖禾堂型号DG403DY-T1-E3类型其他IC功率-用途电视机封装SOIC-16批号2018+特色服务一片包邮 免费送样应用领域家用电器产品说明原装正品 提供发票货号DG403DY-T1-E3

STM32L151C8T6 芯片资讯

制造商STMicroelectronics产品种类ARM微控制器-MCU系列STM32L1核心ARMCortexM3数据总线宽度32bit工作电源电压1.65Vto3.6V最小工作温度-40C最大工作温度+85C接口类型I2C,SPI,US...

74HC4040D 芯片技术资料

74LS系列与74HC,74HCT,CD系列的区别:1.LS、HC 二者高电平低电平定义不同:HC高电平规定为0.7倍电源电压,低电平规定为0.3倍电源电压。LS规定高电平为2.0V,低电平为0.8V。 带负载特性不同。2.HC上拉下拉能力...

SI9945BDY-T1-GE3

制造商 Vishay产品种类 MOSFET技术 Si安装风格 SMD/SMT封装/箱体 SO-8通道数量 2Channel晶体管极性 N-ChannelVds-漏源极击穿电压 60VId-连续漏极电流 5.3ARdsOn-漏源导通电阻 58...