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NVM区数据备份机制

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上一篇主要说明NVM区操作注意事项,本文针对上篇提到的NVM区数据备份方法进行补充讲解。

NVM区主要特性是写入数据掉电不丢失,可以永久的保存数据,一般用作存放不经常修改的数据,此功能类似FLASH。向NVM区写入数据可分为3步:第一步,将目标扇区内原有数据读出到RAM中;第二步,擦除NVM目标扇区内数据;第三步,将新数据和RAM中的旧数据写入到该扇区中。基于以上写操作的特点可以看出,若执行写NVM区操作的第二步或第三步时芯片断电了,就会造成NVM区内原有数据丢失,而新数据写入失败,表现出NVM区内数据错乱的现象。虽然这只是小概率事件,但出于稳定性和产品健壮性考虑也要加入数据备份机制。

数据备份有两套基本方案,分别适用于小数据量和大数据量的应用场景。本期介绍小数据量备份方案,即要求每次更新数据量小于一个扇区大小减1,本例扇区大小256字节,因此更新数据量最大255字节。(注意:不同型号芯片NVM扇区大小会有差异,可以联系凌科技术确认)。实现思路是:从NVM区选取两块区域,每个区域的最后一字节记录该区域的操作次数。以该标志决定更新数据应选用哪个区域。依次循环操作两个区域,操作区域1的时候,区域2就充当了备份作用,反之同理。

第一次写入数据

第一步:将NVM区地址0x0000~0x00FF定义为Block1,将0x0200~0x02FF定义为Block2。

#define Block1 0x0000

#define Block2 0x0200

第二步:定义一个256字节的数组databuf和一个标志位变量cnt,并将cnt赋值0。

unsigned char databuf[256];

Unsigned char cnt = 0;

第三步:将目标数据(待写入数据)拷贝到databuf数组中,并将cnt+1拷贝到databuf+255的位置。

databuf[255] = cnt+1;

第四步:调用WriteNVM函数向Block1写入数据databuf,写入长度256字节。调用WriteNVM函数向Block2+255位置写入cnt,写入长度1字节

WriteNVM(Block1,databuf,256);

WriteNVM(Block2+255,&cnt,1);

更新数据

第一步:调用ReadNVM函数分别读取Block1和Block2的标志位(最后一字节)。

unsigned char flag1,flag2;

ReadNVM(Block1+255,&flag1,1);

ReadNVM(Block2+255,&flag2,1);

第二步:判断两个Block的标志位大小,选取标志位数值小的Block进行更新。将目标数据(待写入数据)拷贝到databuf数组中,并将标志位加2后拷贝到databuf+255的位置。

if(flag1 > flag2)

{

cnt = flag2 + 2;

databuf[255] = cnt;

WriteNVM(Block2,databuf,256);
}else{

cnt = flag1 +2;

databuf[255] = cnt;

WriteNVM(Block1,databuf,256);

}

读取数据

第一步:读取Block1和Block2的标志位数据。

ReadNVM(Block1+255,&flag1,1);

ReadNVM(Block2+255,&flag2,1);

第二步:判断标志位大小,数值大的Block内为新数据,数值小的Block内为旧数据。

if(flag1 > flag2)

{

ReadNVM(Block1,databuf,255);

}else{

ReadNVM(Block2,databuf,255);

}


  1. 虽然感觉操作有点复杂,但是能解决数据掉电不丢失的情况,麻烦点也能接受,下次可以试一下


  2. 太棒啦,有了NVM区数据备份机制,芯片断电的时候,就不用担心NVM区内原有数据丢失和新数据写入失败了,赞!


  3. 太专业了,不明觉厉。

  4. 能来点干货吗?期待楼主的更新