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BNX016-01工程设计包

描述:SMD/块型EMI静噪滤波器; BNX016-01工程设计包 日本村田公司提供了一个完整的选择具体的工程设计用品为了帮助设计工程师在原型应用程序中。每一个装备一般包含一个广泛的选择价值观和尺寸满足使用各种电路的设计...

ATTINY2313概述

描述:8位微控制器与2K字节的系统内可编程闪存; ATTINY2313概述ATtiny2313是基于AVR的低功耗CMOS 8位单片机增强RISC体系结构。 通过执行强大的指令在一个时钟周期内,ATtiny2313达到吞...

ARE13A12的特性介绍

描述:2.6GHz的75з继电器广电行业; ARE13A12特性 优良的高频特性 (75阻抗) 频率900mhz2.6ghz V.S.W.R. (Max)1.2-1.5 插入损耗 0....

场效晶体管AO3404的特性介绍

描述:N沟道增强型网络场效晶体管; AO3404使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)和低门。这设备可能被用作负荷开关或脉宽调制应用程序。标准产品AO3404Pb-free(符合ROHS&索尼259规范)。 AO340...

ADP160AUJZ-3.0-R7特性

描述:超低静态电流150毫安,CMOS线性稳压器; ADP160AUJZ-3.0-R7特性 超低静态电流 智商与0=560nAμA负载 智商=860nA1μA负载 稳定与1μF陶瓷输入和输出电容 ...

关于AD7606BSTZ-4RL特性

描述:8/6/4通道DAS,内置16位,双极性输入,同步采样ADC; AD7606BSTZ-4RL特性 8/6/4同时采样输入 真正的双极模拟输入范围:±10V,±5V 单5V模拟供应和2.3V至5VVDRI...

2SK3878​开关式应用程序介绍

描述:硅N沟道MOS型开关稳压器的应用; 标记 2SK3878注意: 使用不断在沉重的负载的情况下(例如,应用程序的高温度/电流/电压和显著的变化温度等)可能导致这种产品在可靠性显著减少,即使操作条件(即。操作温度...

2SD2391T100Q的特征描述

描述:中等功率晶体管(60V,2A) 2SD2391T100Q特征 1)饱和压降低,通常 VCE(坐)= 0.13 v IC / IB = 1 / 50 ma。 2)Collector-emitter电压60...

齐纳瞬态电压抑制器1SMA13CAT3G的特性介绍

描述:400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器; SMA系列旨在保护电压敏感组件从高电压、高能源瞬变。他们有优秀的夹紧功能,过载能力高、稳压低阻抗和快速的响应时间。 SMA系列中提供在半导体的专属,成本高有效高度可靠Surme...

MAX14783EESA+T的特性介绍

描述:1%精度,数字修整,轨到轨传感器信号调理器; MAX1478高度集成,模拟传感器信号处理器优化压阻传感器校准没有任何外部组件和补偿。 它包括一个可编程电流源传感器励磁,3-bitprogrammable-gain放...

关于KIA7815AF-RTF的特性介绍

描述:双极型线性集成电路。 KIA7815AF-RTF特性 适合C-MOS,TTL,其他数字集成电路的电源。 内部热过载保护。 内部短路电流限制。 输出电流超过1。 满足iec-65规范。(国际电...

单刀双掷模拟开关SN74LVC1G3157DCKR​的特征描述

描述:单刀双掷模拟开关; 这个单刀双掷(领域)模拟开关是专为1.65v至5.5vVCC操作。 SN74LVC1G3157可以处理两个模拟和数字信号。设备允许信号振幅VCC(峰值)传播。 应用包括信号控制、斩波调制和...

精密1A稳压器L7808ABD2T-TR的描述

精密1A稳压器L7808ABD2T-TR的描述 L7808ABD2T-TR特性 输出电流超过1 5的输出电压;6;8;9;12;15;24V 热过载保护 输出SOA过渡的保护 2%输出电压公差 ...

L7824CV正电压稳压器的特性如何?

L78L12ABZ描述:正电压稳压器; 三端积极的L78Lxx系列监管机构采用内部限流和热关闭,使它们本质上坚不可摧的。 如果提供足够的散热,他们可以提供多达100mA输出电流。 他们的目的是在一个固定电压调节器包...

关于表面贴装肖特基二极管BAT43W-7-F的特性介绍

描述:表面贴装肖特基二极管; BAT43W-7-F特性 低正向电压降 快速开关时间 表面安装包适合自动插入 铅、卤素和锑自由,通过无铅认证“绿色” 设备(笔记3和4) 机械数据 案例:...