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MOSFET和MESFET有什么不同点?

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  一、MOSFET

  热稳定性更好、漏电流更小、逻辑摆幅更大、抗噪声能力更强。

  金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

  二、MESFET

  是一种由Schottky势垒栅极构成的场效应晶体管。它与p-n结型栅场效应晶体管相比,只是用金属-半导体接触势垒代替了p-n结栅,则热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱;但是金属-半导体接触可以低温形成,而且不仅可用Si,而且也能采用GaAs材料来制造出性能优良的晶体管。