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大功率电源中MOSFET功率计算

  在设计大电流电源时,MOSFET是最难确定的元件。这一点在笔记本电脑中尤其显着,这样的环境中,散热器、风扇、热管和其它散热手段通常都留给了CPU。这样,电源设计常常要面临狭小的空间、静止的气流以及来自于附近其它元件的热量等不利因素的挑战...

东芝推出新一代600V平面MOSFET系列

  东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。  π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计,与现有的π-MOS VII系列相比,其EMI噪声峰值低5dB[1],...

如何正确测量MOSFET尖峰电压:探头及带宽设置

  测量开关电源输出纹波和功率MOSFET的VDS、VGS电压的时候,通常要去除示波器探头的帽子,直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端,减小地线的环路,从而减小空间耦合的干扰信号。  测量输出电压纹波通常使用20MHz的带宽,测量...

几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路

  1、电源IC直接驱动MOSFET  电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是...

MOSFET的击穿成因

    一个是MOS管本身的输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),将管子损坏;  另一个是MOS电路输入端的保护二极管,其导通时电流容限一般为...

MOSFET和三极管在ON状态时有何区别?

  MOSFET和三极管,在ON状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?  三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定...

内建横向电场MOSFET的主要特性

    (1)导通电阻的降低  INFINEON的内建横向电场的MOSFET,耐压600V和800V,与常规MOSFET器件相比,相同的管芯面积,导通电阻分别下降到常规MOSFET的1/5,1/10;相同的额定电流,导通电阻分别下降到1/2...

MOSFET开关基础知识

  一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题,比如一个5V的电源,经过管...

MOSFET和MESFET有什么不同点?

  一、MOSFET  热稳定性更好、漏电流更小、逻辑摆幅更大、抗噪声能力更强。  金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, ...

模块电源中常用的MOSFET驱动电路有哪些?

  1、电源IC直接驱动MOSFET  电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式,同时也是最简单的驱动方式,使用这种驱动方式,应该注意几个参数以及这些参数的影响。第一,查看一下电源IC手册,其最大驱动峰值电流,因为不同芯片,驱动能力很多时候是...

MOSFET等大型焊盘的背面可以打过孔

  一、MOSFET等大型焊盘的背面可以打过孔。  首先一种情况是焊盘上需要过孔,例如:  我们为了改善MOSFET的散热,在MOSFET的焊盘上打过孔。  注意:在这里大焊盘的过孔处理时,我们需要均匀布孔,保证焊盘是均匀受热的。  二、一...

MOSFET等纷纷涨价,推动厂商抱团进行产业升级

  延续2017年缺货、涨价的势头,今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价,背后的主要原因为供不应求,市场需求暴增、上游原材料缺货涨价。据悉,二线晶圆代工厂向台积电看齐,推动晶圆代工价格上调,这很可能推动元器件价格再次调高。 ...

IR新型车用MOSFET可减少50%引线电阻

  全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封装的车用 MOSFET 系列,与传统的 TO-262封装相比,可减少 50% ...

功率MOSFET的结构及原理

  MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。  功率场...