K4B4G1646E-BCMA组织为32Mbit x 16I / 0sx 8banks器件。对于一般应用，这种同步设备可实现高达1866Mb / sec / pin（DDR3-1866）的高速数据速率传输速率。

      该芯片的设计符合后续翼键DDR3 SDRAM功能，例如发布的CAS，可编程CWL，内部（自）校准，使用ODT引脚的裸片终端和异步复位。

       所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在与源同步方式的一对双向选通（DQS和DQS）同步的差分交叉点处被锁存。地址总线用于以RAS / C AS多路复用方式传送行，列和存储体地址信息。 DDR3器件的工作电压为1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V），电源电压为1.35V（1.28V~1.45V）或1.5V（1.425V~1.575V）。K4B4G1646E-BCMA器件采用96ball FBGA（x16）。

特征

·JEDEC标准1.35V（1.28V~1.45V）和1.5V（1.425V~1.575V）

·VDDQ = 135V（1.28V~145V）和1.5V（1425V~1.575V）

·400MHz fCK，800Mb /秒/引脚，533MHz fCK，1066Mb /秒/引脚，667MHz fCK用于1333Mb / sec /引脚，800MHz fCK用于1600Mb / sec /引脚，933M Hz fCK，1866Mb / sec /引脚

·8Banks

·可编程CAS晚期（CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13

·可编程附加延迟：0，CL-2或CL-1时钟

·可编程CAS写延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）

·8位预取

·突发长度：8,4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS随时随地]

·双向差分数据选通

·内部（自校准）：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ：240欧姆±1％）

·使用OD T引脚进行裸片端接

·平均刷新周期7.8us低于TCASE 85 C，3.9us at85℃<TCASE <95℃

·K4B4G1646E-BCMA支持Indus试用Termp（-4095 C）

-tREFI 7.8us at-40 OCTCASE≤85C

-tREFI 3.9us at 85OC <TCASE≤95C

·异步复位

·包装：96球FBGA-×16

·所有无铅产品均符合RoHS标准

·所有产品均为Halo gen-free