C3M0065090D相关介绍

特征

·新型C3M SiC MOSFET技术

·高阻断电压，低导通电阻

·低电容的高速开关

·具有低反向恢复的快速本征二极管（Orr）

·无卤素，符合RoHS标准

C3M0065090D优点

·更高的系统效率

·降低冷却要求

·功率密度增加

·提高系统切换频率

应用

·再生能源

·EV电池罩

·高压DC / DC转换器

·开关电源

规格参数

FET 类型：N 沟道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：900V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：36A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 20A，15V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 5mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30.4nC @ 15V

Vgs（最大值）：+18V，-8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 600V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装:TO-247-3

封装/外壳:TO-247-3