STW33N60M2详细介绍

描述

      这些器件是采用新一代MDmeshnM技术开发的N沟道功率MOSFET：MDmesh II Plus低Qg。这些功率MOSFET可以为带状布局提

供垂直结构，从而产生较低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求苛刻的高效转换器。

应用

·切换应用程序

·LCC转换器，谐振转换器

STW33N60M2特征

·低的栅极电荷

·与上一代相比，降低RDS（on）x区域

·MDmeshnx II技术

·低栅极输入电阻

·100％雪崩测试

·齐纳保护

规格信息

系列：MDmesh? II Plus

FET类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：600V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：26A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：45.5nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1781pF @ 100V

Vgs（最大值）：±25V

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：125 毫欧 @ 13A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

封装形式Package：TO-247

极性Polarity：N-CH

漏源极击穿电压VDSS：650V

连续漏极电流ID：26A