AO4480小知识

一般说明

      AO4480采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷。它是ESD保护的。该器件适合用作SMPS和通用应用中的低侧开关。Xandard产品A04480不含Po（符合ROHS和Sony 259规格）。

特征

VDS（V）= 40V

ID = 14A（VGS = 10V）

RDS（ON）<11.5平方米（VGS = 10V）

RDS（ON）<15.5平方米（VGS = 4.5V）

ESD额定值：4KV HBM

产品规格

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 毫欧 @ 14A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1920pF @ 20V

功率 - 最大值：3.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC