SI2319CDS-T1-GE3：

型号：SI2319CDS-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

RoHS：无铅 / 符合

描述：MOSFET P-CH 40V SOT-23

产品分类：分离式半导体产品 >> FET - 单

标准包装:3,000

系列:TrenchFET®

FET 型:MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss):40V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25C:4.4A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25C:77 毫欧 @3.1A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）:2.5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds:595pF @ 20V

功率 - 最大 2.5W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236）

包装:带卷 (TR)

其它名称:SI2319CDS-T1-GE3TR

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