内存中你不知道的进步
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发表于 11/28/2013 2:56:25 PM
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DDR存储器终极解决方案的实现
上海皇华信息科技
内存与DDR简介
内存又称主存。是CPU能直接寻址的存储空间，由半导体器件制成。内存的特点是
访问数据的速率快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公桌就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
TPS51200DRCR在DDR中的应用
近年，市场上推出一款可满足DDR、DDR2、DDR3与DDR4等各种低功耗存储器终端电源管理要求的汲极／源极双数据速率(DDR)终端稳压器TPS51200DRCR。该简便易用的新型稳压器的陶瓷输出电容仅为 20 μF，比同类竞争解决方案的电容降低了近80%。这样，设计人员可利用该器件实现更低成本、更小型化的DDR存储器终端解决方案，以满足数字电视、机顶盒、VGA卡、电信、数据通信、笔记本以及台式机电脑等现代大容量存储器电子产品以及日益丰富的消费类电子产品的需求。
高宽带内部跨导，Gm放大器与积分动态电压定位均可支持超快瞬态响应，而且外部输出电容极小。在负载变动幅度为-1.5A ～+1.5A的典型应用中，输出电压偏移小于 25 mV。TPS51200DRCR能在2.375 V~ 3.5V的偏置电压下工作，这使它在系统仅有2.5V或3.3V电轨的条件下极具竞争力。此外，在RAM暂停工作时，该器件还支持S3 睡眠状态控制。
TPS51200 DRCR也可用作输入电压范围为 1.1V～3.5 V 的通用高性能低降压 (LDO) 稳压器。当启用引脚连接至系统总线电压时，该器件支持跟踪启动与断电功能，这使设计人员可以轻松实施多轨系统电压排序，从而简化设计流程。
TPS51200DRCR的推出进一步增强了丰富的DDR存储器电源解决方案系列，其中包括支持TPS51100DGQR DDR终端稳压器，集成汲极／源极LDO的TPS51116 RGER DDR 电源转换开关以及支持DDR终端的TPS40042DRCR低电压跟踪开关稳压器。
本文来源：http://www.ameya360.cn/resource/ ... ;tid=805&extra=
