u-boot移植 中64m与128m的区别
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发表于 5/29/2010 5:20:02 PM
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目前的mini2440的NANDFLASH为128m与原来qq2440的有一定的区别，下面我介绍一下具体的区别：
首先我先介绍一下64m的：
一、 Nand flash芯片工作原理
Nand flash芯片型号为Samsung K9F1208U0B，数据存储容量为64MB，采用块页式存储管理。8个I/O
引脚充当数据、地址、命令的复用端口。
1 芯片内部存储布局及存储操作特点
一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为：
1设备(Device) = 4096 块(Blocks)
1块(Block) = 32页/行(Pages/rows) ;页与行是相同的意思,叫法不一样
1块(Page) = 528字节(Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB块大小(16Bytes)
在每一页中，最后16个字节（又称OOB）用于Nand Flash命令执行完后设置状态用，剩余512个字节
又分为前半部分和后半部分。可以通过Nand Flash命令00h/01h/50h分别对前半部、后半部、OOB进行定位
通过Nand Flash内置的指针指向各自的首地址。
存储操作特点：
1. 擦除操作的最小单位是块。
2. Nand Flash芯片每一位(bit)只能从1变为0，而不能从0变为1，所以在对其进行写入操作之前要一定将相
应块擦除(擦除即是将相应块得位全部变为1).
3. OOB部分的第六字节(即517字节)标志是否是坏块，如果不是坏块该值为FF，否则为坏块。
4. 除OOB第六字节外，通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码(关于硬件ECC码请参看
Nandflash 控制器一节).
2 、 寻址方式
Samsung K9F1208U0B Nand Flash 片内寻址采用26位地址形式。从第0位开始分四次通过I/O0－I/O7进
行传送，并进行片内寻址。具体含义如下：
0－7位：字节在上半部、下半部及OOB内的偏移地址
8位：值为0代表对一页内前256个字节进行寻址
值为1代表对一页内后256个字节进行寻址
9－13位：对页进行寻址
14－25位：对块进行寻址
当传送地址时,从位0开始
