双面冷却构造的功率半导体需要在制造方法和维持冷却性能方面下工夫。

新型冷却系统采用的交叉层叠功率半导体和冷却板的构造，因此半导体和冷却板需要始终接触在一起。制造时首先重叠冷却板制成冷却器，然后重叠功率半导体，插入冷却器中（图8）。

图8：PCU的制造工序在层叠型冷却器中插入功率半导体元件。通过向冷却器两侧加压，使冷却板与半导体元件紧密贴合。最后，用板簧对冷却器加压，维持冷却性能。

为便于插入半导体，可增大冷却板与冷却板的间隔。但是，如果间隔过大，冷却板与半导体之间就会留有缝隙，冷却半导体的性能就会降低。因此，最初先扩大冷却板的间隔，插入半导体后，通过对冷却器两侧加压，使冷却板与半导体紧密贴合。

对冷却器加压时，为防止冷却器破损，采用了冷却板与冷却板之间产生形变的结构（图9）。通过使冷却器在冷却水不漏的前提下变形，实现了层叠结构。

图9：层叠型冷却器在生产时变形层叠型冷却器为使半导体元件与冷却板紧密结合，生产时进行加压。采用了加压时、为使冷却板与冷却板之间的距离缩短而变形的结构。

作为表示双面冷却性能的数据，有热传导率模拟数据和热阻试验数据。通过热传导模拟，比较了冷却构造中的最热部分（热阻最高的部分）。模拟结果表明，双面冷却构造比单面冷却构造的热阻可降低约48％。

通过热阻实验数据，比较了功率半导体每个位置的冷却性能（图10（a）。该实验将功率半导体耐热性上限150℃下的热阻目标值定为0.3K/W左右。实验数据控制在上限以下（图10（b）。另一组热阻试验的数据测量了改变冷却水流速时的热阻。将功率半导体每个位置（下降侧的1～12）的热阻做成了图表。数据显示热阻始终在0.3K/W以下，满足了散热条件（图10（c）。

图10：采用双面冷却，冷却性能达到目标值以下（a）对PCU的功率半导体，在冷却水入口按顺序贴上序号1～12。在冷却水入口侧（上升）和出口侧（下降）比较了功率半导体的冷却性能。（b）热阻值的比较。冷却水入口侧和出口侧均控制在功率半导体目标值0.3K/W以下。（c）改变冷却水流量时的热阻控制在目标值以下。

功率半导体的耐热性是一大课题，不过将来该课题有可能得到彻底解决。比如，现在使用的是Si（硅）晶圆，而用SiC（碳化硅）材料做的话，耐热性将大幅提高，同时还能够通过更大的电流。

另外，现在设计的是水冷式PCU，今后随着气流改善等，或许还需要研究空冷式PCU。今后的10年将是决定PCU未来走向的关键时期。