MOSFET全称功率场效应晶体管。

它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(C)。

主要优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。

它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。

由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。