IC Layout设计【3】
0赞
发表于 3/15/2011 12:35:00 PM
阅读（3773）
绘制版图
一．画pmos的版图（新建一个名为pmos的cell）
1． 画出有源区
在LSW中，点击active（dg），注意这时LSW顶部显示active字样，说明active层为当前所选层次。然后点击icon menu中的rectangle icon，在vituoso editing窗口中画一个宽为3.6u，长为6u的矩形。这里我们为了定标，必须得用到标尺。点击misc/ruler即可得到。清除标尺点击misc/clear ruler。如果你在绘制时出错，点击需要去除的部分，然后点击delete icon。
2． 画栅
在LSW中，点击poly（dg），画矩形。与有源区的位置关系如下图：
图6 display resource editor
3．画整个pmos
为了表明我们画的是pmos管，我们必须在刚才图形的基础上添加一个pselect层，这一层将覆盖整个有源区0.6u。接着，我们还要在整个管子外围画上nwell，它覆盖有源区1.8u。如下图所示：
4．衬底连接
pmos的衬底（nwell）必须连接到vdd。首先，画一个1.2u乘1.2u的active矩形；然后在这个矩形的边上包围一层nselect层（覆盖active0。6u）。最后将nwell的矩形拉长，完成后如下图所示：
这样一个pmos的版图就大致完成了。接着我们要给这个管子布线。
一．布线
pmos管必须连接到输入信号源和电源上，因此我们必须在原图基础上布金属线。
1． 首先我们要完成有源区（源区和漏区）的连接。在源区和漏区上用contact（dg）层分别画三个矩形，尺寸为0.6乘0.6。注意：contact间距为1.5u。
2． 用metal1（dg）层画两个矩形，他们分别覆盖源区和漏区上的contact，覆盖长度为0.3u。
3． 为完成衬底连接，我们必须在衬底的有源区中间添加一个contact。这个contact每边都被active覆盖0.3u。
4． 画用于电源的金属连线，宽度为3u。将其放置在pmos版图的最上方。
布线完毕后的版图如下图所示：
一．画nmos管
通过以上步骤我们完成了pmos的版图绘制。接下来我们将绘制出nmos的版图。
一． 完成整个非门的绘制及绘制输入、输出
1． 新建一个cell（inv）。将上面完成的两个版图拷贝到其中，并以多晶硅为基准将两图对齐。然后，我们可以将任意一个版图的多晶硅延长和另外一个的多晶硅相交。
2． 输入：为了与外部电路连接，我们需要用到metal2。但poly和metal2不能直接相连，因此我们必须得借助metal1完成连接。具体步骤是：
a． 在两mos管之间画一个0.6乘0.6的contact
b． 在这个contact上覆盖poly，过覆盖0.3u
c． 在这个contact的左边画一个0.6乘0.6的via，然后在其上覆盖metal2（dg），过覆盖0.3u
d． 用metal1连接via和contact，过覆盖为0.3u
从下图中可以看得更清楚：
1． 输出：先将两版图右边的metal1连起来（任意延长一个的metal1，与另一个相交）。然后在其上放置一个via，接着在via上放置metal2。
五：作标签
1． 在LSW中选择层次text（d3），点击create/label，在弹出窗口中的label name中填入vdd！并将它放置在版图中相应的位置上。
2． 按同样的方法创制gnd！、A和Out的标签。完成后整个的版图如下：
至此，我们已经完成了整个非门的版图的绘制。下一步将进行DRC检查，以检查版图在绘制时是否有同设计规则不符的地方。
