SDRAM程序编写小计
0赞今天把SDRAM程序编写心得写下，程序的功能很简单，看框图↖(^ω^)↗
初始化搞了好久，各种名词不懂，各种晕
![clip_image001[5]](http://files.chinaaet.com/images/blog/2013/02/04/1077229962047.gif "clip_image001[5]")
初始化过程：
1.SDRAM上电要经过200us的稳定期，命令选择NOP(给SDRAM的各个端口赋值)；
2.接下来就是对所有L-Bank预充电，怎么操作呢？首先给端口赋一个周期的预充电命令，然后给端口赋NOP等待18ns(预充电有效周期)，则预充电完成；
3.接下来是第一个刷新周期，首先给端口赋一个周期的自动刷新命令，然后给端口赋NOP等待60ns(查看pdf,Trc=Trfc，Trfc=行刷新时间),则一个刷新完成，接下来的7个周期进行一样的操作就可以了；
4.接下来就可以进行工作了，但是要记住每过 15us(64ms/4096=15us)就要自动刷新一次，刷新操作和上面的一样，当然刷新操作不能和读写SDRAM冲突，也就是时间一样，可以把刷新操作的等级设为最高；为了防止读写请求信号因为碰上了SDRAM在刷新而被忽略掉，可以把读写请求信号有效时间设的比刷新时间长一点点，但是比一个读写操作短。发送完读命令，在下一个周期就可以进行读了；
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？ ?
? (+﹏+)~狂晕 ?
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但是如果要写sdram，要在发送写命令前一个时钟周期开始写，也就是在正常写的前两个时钟周期就要开始写了？？？？？？这是为什么呢，在pdf上找了半天，硬是没有发现为什么，或者我看到了，但是没认出来。╭∩╮（︶︿︶）╭∩╮
