相变存储器：基本原理与测量技术——对相变存储器(PCM)器件进行特征分析的脉冲需求
我们必须仔细选择所用RESET和SET脉冲的电压和电流大小[1]，以产生所需的熔化和再结晶过程。RESET脉冲[2]应该将温度上升到恰好高于熔点，然后使材料迅速冷却形成非晶态。SET脉冲应该将温度上升到恰好高于再结晶温度但是低于熔点，然后通过较长的时间冷却它；因此，SET脉
发表于 7/7/2011 3:36:41 PM
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相变存储器：基本原理与测量技术——对PCM材料进行特征分析的关键参数
开发新的PCM材料[1]并优化器件设计的能力在很大程度上取决于制造商对几个参数进行特征分析的能力：再结晶速率——目前的再结晶速率为几十纳秒的量级，但是它们可能很快会下降到几纳秒的量级。这将会缩短测量所需的时间，使其变得越来越紧张。数据保持—&
发表于 7/7/2011 3:35:33 PM
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相变存储器：基本原理与测量技术——非晶态与晶态帮你搞懂相变存储器(PCM)
简单介绍非晶态与晶态之间的差异有助于我们搞清楚PCM器件的工作原理[1]。在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，我们一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于
发表于 7/5/2011 10:14:24 AM
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什么是相变存储器（PCM）？它是如何工作的？
相变存储器（可缩略表示为PCM[1]、PRAM或PCRAM）是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。本文将为您介绍相变存储器的基本原理及其最新的测试
发表于 7/4/2011 1:50:18 PM
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小电流测量偏移补偿
在确定并减小外部误差后，如果可能的话，可将测试系统的内部和外部偏移从将来的测量结果中减去。首先，如上所述，在输入戴有金属帽的情况下对SMU进行自动校准。然后，确定每个SMU至探针的偏移。利用软件中的公式计算器工具，可将该平均偏移从随后的电流测量结果中减去。
发表于 6/20/2011 9:45:23 AM
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小电流测量 噪声和源阻抗
噪声会严重影响敏感电流测量。DUT的源阻抗和源电容都会影响SMU的噪声性能。DUT的源阻抗会影响SMU的反馈安培计的噪声性能。当源电阻减小时，安培计的噪声增益将增大。图20所示为反馈安培计的简化模型。在该电路中：RS=源电阻CS=源电容VS=源电压VNOISE=安培计的噪声电压图
发表于 6/17/2011 10:47:24 AM
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小电流测量污染和湿度效应
高湿度或离子污染会大大降低测试夹具的绝缘电阻。凝露或吸水性会产生高湿度条件，而离子污染可能是体油、盐或焊接剂造成的。绝缘电阻降低会对高阻测量产生严重影响。此外，湿度或潮湿可能会与出现的污染相组合，形成会产生偏移电流的电化效应。例如，常用的环氧印制电路
发表于 6/16/2011 10:07:40 AM
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高性能源测量解决方案在线指南
日前吉时利仪器公司宣布，推出名为《低成本、高性能源测试解决方案》在线指南，通过访问吉时利网站http://www.keithley.com/pr/090可进行免费下载。图片：http://www.ggcomm.com/KEI/eguides/SMU_eguide.j
发表于 6/15/2011 11:32:41 AM
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小电流测量摩擦效应
摩擦电流是由于导体和绝缘体之间摩擦产生的电荷形成的。自由电子由于摩擦离开导体，造成电荷不平衡，由此产生电流。这种噪声电流可达到数十nA。图15所示为摩擦电流的流向。吉时利4200-SCS配备的三轴电缆在外屏蔽的下方采用了浸渍石墨绝缘体，大大降低了这种影响。石墨提
发表于 6/15/2011 10:46:48 AM
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小电流测量SMU至DUT的连接
连接DUT时，除了使用屏蔽和保护电缆，将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的ForceHI和ForceLO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。通常情况下，总是将SMU的高阻端子(ForceHI)连接至被测电路的最大电
发表于 6/14/2011 11:00:23 AM
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小电流测量漏流和保护II
保护亦可用于减小电缆连接中的漏流。图12所示为驱动保护防止电缆的漏泄电阻影响小电流测量的原理.在无保护的配置中，同轴电缆的漏阻与DUT并联(RDUT)，产生不希望的漏流(IL)。该漏流将影响极小电流的测量。在保护电路中，三轴电缆的内芯屏蔽被连接至SMU的保护端子。现在
发表于 6/14/2011 10:58:50 AM
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小电流测量的漏流和保护I
漏流是施加电压时通过(泄露)电阻的误差电流。当DUT的阻抗与测试电路中绝缘体的阻抗相当时，该误差电流就会成为问题。为减小漏流，在测试电流中采用高质量的绝缘体、降低测试实验室的湿度，并采用保护。保护是由一个低阻源驱动的导体，其输出为或接近高阻端子的电势。保
发表于 6/10/2011 12:18:37 PM
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电磁干扰和屏蔽
当带电物体接近被测电路时，会发生静电耦合或干扰。低阻抗时，由于电荷消失很快，所以干扰的影响不明显。然而，高电阻材料不会使电荷快速衰减，则会造成测量不稳定、噪声很大。通常情况下，当被测电流≤1nA或者被测电阻≥1GΩ时，静电干扰就会成为问题。为了减
发表于 6/9/2011 11:04:31 AM
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小电流测量误差源及减小误差的方法
确定了电流偏移、漏流及所有不稳定性后，采取措施减小测量误差将有助于提高测量准确度。这些误差源包括建立时间不足、静电干扰、漏泄电流、摩擦效应、压电效应、污染、湿度、接地环路，以及源阻抗。图5中汇总了本节讨论的部分电流的幅值。图5.产生电流的典型幅值建立时
发表于 6/9/2011 10:56:50 AM
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分析系统优化小电流测量——外部偏移
确定了安培计的偏移电流后，将系统的其余部分逐步添加至测试电路，通过重复电流(0V)和时间图，验证系统其余部分的偏移(利用图3中所示的“AppendRun”按钮)。最后，在“up”位置对探针末端或未连接器件的测试夹具进行测量。该过程将有助于确定任何故
发表于 6/9/2011 10:50:36 AM
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