相变存储器：基本原理与测量技术——对相变存储器(PCM)器件进行特征分析的脉冲需求
我们必须仔细选择所用RESET和SET脉冲的电压和电流大小[1]，以产生所需的熔化和再结晶过程。RESET脉冲[2]应该将温度上升到恰好高于熔点，然后使材料迅速冷却形成非晶态。SET脉冲应该将温度上升到恰好高于再结晶温度但是低于熔点，然后通过较长的时间冷却它；因此，SET脉
发表于 2011/7/7 下午3:36:41
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相变存储器：基本原理与测量技术——对PCM材料进行特征分析的关键参数
开发新的PCM材料[1]并优化器件设计的能力在很大程度上取决于制造商对几个参数进行特征分析的能力：再结晶速率——目前的再结晶速率为几十纳秒的量级，但是它们可能很快会下降到几纳秒的量级。这将会缩短测量所需的时间，使其变得越来越紧张。数据保持—&
发表于 2011/7/7 下午3:35:33
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相变存储器：基本原理与测量技术——非晶态与晶态帮你搞懂相变存储器(PCM)
简单介绍非晶态与晶态之间的差异有助于我们搞清楚PCM器件的工作原理[1]。在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，我们一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于
发表于 2011/7/5 上午10:14:24
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什么是相变存储器（PCM）？它是如何工作的？
相变存储器（可缩略表示为PCM[1]、PRAM或PCRAM）是一种新兴的非易失性计算机存储器技术。它可能在将来代替闪存，因为它不仅比闪存速度快得多，更容易缩小到较小尺寸，而且复原性更好，能够实现一亿次以上的擦写次数。本文将为您介绍相变存储器的基本原理及其最新的测试
发表于 2011/7/4 下午1:50:18
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光伏电池电气性能的评测——光伏电池的电容测量
与I-V测量类似，电容测量[1]也用于太阳能电池的特征分析。根据所需测量的电池参数，我们可以测出电容与直流电压、频率、时间或交流电压的关系。例如，测量PV电池的电容与电压的关系有助于我们研究电池的掺杂浓度或者半导体结的内建电压。电容-频率扫描则能够为我们寻找P
发表于 2011/6/27 上午10:40:18
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光伏电池电气性能的评测——光伏电池的总体效率的测量参数
其它一些可以从PV电池直流I-V曲线中得出的数据表征了它的总体效率——将光能转换为电能的好快程度——可以用一些参数来定义，包括它的能量转换效率、最大功率性能和填充因数。最大功率点是最大电池电流和电压的乘积，这个位置的电池输出功率是最大
发表于 2011/6/24 上午11:39:00
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光伏电池电气性能的评测——PV电池的直流电流-电压（I-V）测量（提供V测量I）
可以利用直流I-V曲线图对PV电池进行评测，I-V图通常表示太阳能电池产生的电流与电压的函数关系（如图2所示）。电池能够产生的最大功率（PMAX）出现在最大电流（IMAX）和电压（VMAX）点，曲线下方的面积表示不同电压下电池能够产生的最大输出功率。我们可以利用基本的测
发表于 2011/6/23 上午10:30:53
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光伏电池电气性能的评测——光伏电池等效电路模型
PV电池的等效电路模型（如图1所示）能够帮助我们深入了解这种器件的工作原理。理想PV电池的模型可以表示为一个感光电流源并联一个二极管。光源中的光子被太阳能电池材料吸收。如果光子的能量高于电池材料的能带，那么电子就被激发到导带中。如果将一个外部负载连接到PV
发表于 2011/6/22 上午10:54:44
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小电流测量偏移补偿
在确定并减小外部误差后，如果可能的话，可将测试系统的内部和外部偏移从将来的测量结果中减去。首先，如上所述，在输入戴有金属帽的情况下对SMU进行自动校准。然后，确定每个SMU至探针的偏移。利用软件中的公式计算器工具，可将该平均偏移从随后的电流测量结果中减去。
发表于 2011/6/20 上午9:45:23
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小电流测量 噪声和源阻抗
噪声会严重影响敏感电流测量。DUT的源阻抗和源电容都会影响SMU的噪声性能。DUT的源阻抗会影响SMU的反馈安培计的噪声性能。当源电阻减小时，安培计的噪声增益将增大。图20所示为反馈安培计的简化模型。在该电路中：RS=源电阻CS=源电容VS=源电压VNOISE=安培计的噪声电压图
发表于 2011/6/17 上午10:47:24
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小电流测量污染和湿度效应
高湿度或离子污染会大大降低测试夹具的绝缘电阻。凝露或吸水性会产生高湿度条件，而离子污染可能是体油、盐或焊接剂造成的。绝缘电阻降低会对高阻测量产生严重影响。此外，湿度或潮湿可能会与出现的污染相组合，形成会产生偏移电流的电化效应。例如，常用的环氧印制电路
发表于 2011/6/16 上午10:07:40
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高性能源测量解决方案在线指南
日前吉时利仪器公司宣布，推出名为《低成本、高性能源测试解决方案》在线指南，通过访问吉时利网站http://www.keithley.com/pr/090可进行免费下载。图片：http://www.ggcomm.com/KEI/eguides/SMU_eguide.j
发表于 2011/6/15 上午11:32:41
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小电流测量摩擦效应
摩擦电流是由于导体和绝缘体之间摩擦产生的电荷形成的。自由电子由于摩擦离开导体，造成电荷不平衡，由此产生电流。这种噪声电流可达到数十nA。图15所示为摩擦电流的流向。吉时利4200-SCS配备的三轴电缆在外屏蔽的下方采用了浸渍石墨绝缘体，大大降低了这种影响。石墨提
发表于 2011/6/15 上午10:46:48
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小电流测量SMU至DUT的连接
连接DUT时，除了使用屏蔽和保护电缆，将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的ForceHI和ForceLO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。通常情况下，总是将SMU的高阻端子(ForceHI)连接至被测电路的最大电
发表于 2011/6/14 上午11:00:23
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小电流测量漏流和保护II
保护亦可用于减小电缆连接中的漏流。图12所示为驱动保护防止电缆的漏泄电阻影响小电流测量的原理.在无保护的配置中，同轴电缆的漏阻与DUT并联(RDUT)，产生不希望的漏流(IL)。该漏流将影响极小电流的测量。在保护电路中，三轴电缆的内芯屏蔽被连接至SMU的保护端子。现在
发表于 2011/6/14 上午10:58:50
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