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ST推出最新MOSFET有助于提高服务器电源能耗

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   MOSFET对于大多数人来说可能是一个很陌生的词汇,但对于我们接触频繁的电子行业来说却是一个很重要的环节,MOSFET在电源的领域中应用极为广泛,国外市场对其已经垄断许久,而国内目前也对此领域慢慢探索有了长足的进步。

   近年来,功率场效应管(MOSFET)在电源各个领域的应用越来越广泛。然而拥有MOSFET的研发能力的公司仅限于国外的几个半导体巨头,国产场效应管几乎是一片空白。 在这个背景下,深圳市锐骏半导体有限公司投巨资在国外建立了MOSFET半导体研发试验室。

   意法半导体(ST)推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平,在要求严格的电源系统中,新产品有助于降低损耗,提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的,为了提高系统的可靠性,服务器广泛使用并联电源冗余结构。

ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效

  ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻Rds(on)极低,只有800微欧(0.8毫欧),为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。

关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,MOSFET取代了二极管。现在功耗低的STV300NH02L在电源效率上又向前迈出了一大步。

原先的二极管在很大程度上改变了电子领域,对一些产品的制造发展起到了改革性的更新和突破,但此番MOSFET取代了原先的二极管,让我们的电源可以获得更高的效率,也让该领域有了崭新的起点。