ABI研究公司一位研究人员表示，对于那些通过氮化镓(GaN)工艺技术来开发并生产设备的厂商来说，无线基础设施领域所需的RF功率半导体可能并不是他们最好的机会。除了一些军事应用和微波通信，GaN主要用于移动无线基础设施和WiMAX。但是ABI Research公司董事Lance Wilson却表示，这个对价格极度敏感的领域，可能并不适合GaN。Wilson表示：“与传统放大器电路里的Si LDMOS相比，GaN虽然是新技术，设备成本却是其最大的致命伤。”虽然GaN的价格可能会慢慢下降，并最终克服这一问题，但是却永远无法与Si LDMOS的价格相抗衡，因为它从本质上就是比Si LDMOS要贵。Wilson指出：“尽管GaN可能会实现超级性能，但这也不能为之增添多少砝码。在移动无线基础设施领域，GaN和Si LDMOS在价格和性能上始终都是势均力敌。GaN可能在今后几年会在移动基础设施所需的RF功率放大器的市场上攻下一些地盘，但绝不可能只手遮天。”而且，在GaN市场上凑热闹的人太多了，将来至少会有一半的人知难而退，或者忍痛割爱。但是，Wilson也强调说，GaN前景依然让人看好。在4 GHz以上的频率，Si LDMOS的性能无法触及，因此GaN将几乎统治所有高功率市场。他说，Eudyna Devices和东芝就非常聪明地将其GaN产品的目标对准4 GHz以上的微波市场，这将给其带来相当大的收益。

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我们室几位师兄姐做GaN的东西做得很不错，解决了工艺问题，利用我们自己流的片已经可以设计一些大功率的放大器，小江师兄做的GaN HEMT 5.9GHz-***GHz功率放大器，忒赞！如果参考国外的相关产品，似乎市场前景还很不错。但是，正如上面所提到的GaN的天生硬伤就是其成本。同样，InP也存在类似的问题。我以后做InP基的高速数模混合电路，可谓困难重重，工艺的问题还没有妥善解决，成本问题也无法期待。虽然InP是第二代半导体材料，GaN是第三代半导体材料，但是InP相比GaN还是有一些特有的优势，譬如说更高的电子迁移率，更高的截止频率，这在高速电路中至关重要。HRL做出了输出频率高达9.8GHz的DDS芯片，正是采用了InP DHBT工艺，所以，尽管前途未卜，至少我们在大的路径上没有偏离方向。