今天在水木上看了这个问题，这是个好问题。很多人只知道BJT比CMOS快，但不知道为什么，就像我这样，哈哈。BJT和MOS半导体结构不同，机制不同，导致在速度上的天然差别，表面上的解释是BJT的跨导比MOS大，这个我知道，但是再追问为什么我也说不清楚了。想想两者差别：双极vs.单极，电流vs.电压...还有什么？才疏学浅，实在是说不出来了。

想起去年一次和plhuang一次聊天说到我以后可能做InP HBT的高速电路，她这么说：一般来说BJT比CMOS更适合做高速电路，InP HBT是最佳选择，但就是太昂贵，而且集成度不高。只记下了这个结论，深层的原因则没有了解，惭愧。说到这里，插个学术八卦：前几天网上搜paper，偶尔发现plhuang mm的导师，居然是Paul Gray的高徒，以前只知道也是科大校友，敬佩敬佩，mm有福了。

接着说，刚才MSN上看到cm mm上线，突然想起来她在佛罗里达专做晶体管的，何不请教一下？mm意简言赅，给了如下解释：主要是受迁移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的迁移率是体迁移率，大约为1350cm2/vs。NMOS中是半导体表面迁移率，大约在400-600cm2/vs。所以BJT的跨导要高于MOS的，速度快于MOS。这也是NPN（NMOS）比PNP（PMOS）快的原因。嗯，赞！虽然只要读读半导体器件物理就能得到非常好的答案，但是，细微之处越能体现人与人的差别呀。惭愧惭愧。继而又说到近况，说到弗吉尼亚理工大学的枪击事件，及国内外的学术界之透明度等等，聊了短短几分钟。她现在研究的是“怎么样通过加外力的方式提高device的速度”，挺新颖的，闻所未闻。另外，我要学习人家拨冗去繁，专心致志心无旁笃的精神，再惭愧！