s3c2410处理器简介
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发表于 1/13/2011 2:21:19 PM
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S3C2410 是韩国三星公司的一款基于ARM920T 内核的16/32 位RISC 嵌入式微处理器,主
要面向手持设备以及高性价比,低功耗的应用。运行的频率可以达到203MHz。
ARM920T 核由ARM9TDMI,存储管理单元(MMU)和高速缓存三部分组成。其中MMU 可以管
理虚拟内存,高速缓存由独立的16KB 地址和16KB 数据高速Cache 组成。
ARM920T 有两个协处理器:CP14 和CP15。CP14 用于调试控制,CP15 用于存储系统控制以及测
试控制。
S3C2410 的资源包括:
1 个LCD 控制器(支持STN 和TFT 带有触摸屏的液晶显示屏)。
SDRAM 控制器。
3 个通道的UART。
4 个通道的DMA。
4 个具有PWM 功能的计时器和一个内部时钟。
8 通道的10 位ADC。
触摸屏接口。
IIS 总线接口。
2 个USB 主机接口,1 个USB 设备接口。
2 个SPI 接口。
SD 接口和MMC 卡接口。
看门狗计数器。
117 位通用I/O 口和24 位外部中断源。
8 通道10 位AD 控制器。
S3C2410 集成了一个具有日历功能的RTC 和具有PLL(MPLL 和UPLL)的芯片时钟发生器。
MPLL 产生主时钟,能够使处理器工作频率最高达到203MHz。
S3C2410 将系统的存储空间分为8 组(Bank),每组的大小是128MB,共1GB。Bank0 到
Bank5 的开始地址是固定的,用于ROM 或SRAM。Bank6 和Bank7 用于ROM,SRAM 或SDRAM,这
两个组可编程且大小相同。Bank7 的开始地址是Bank6 的结素地址,灵活可变。所有内存块的
访问周期都可编程。S3C2410 采用Ngcs[7:0]8 个通用片选信号选择这些组。
S3C2410 支持从NAND FLASH 启动,NAND FLASH 具有容量大,比NOR Flash 价格低等特点。
系统采用NAND Flash 与SDRAM 组合,可以获得非常高的性价比。S3C2410 具有三种启动方式,
要面向手持设备以及高性价比,低功耗的应用。运行的频率可以达到203MHz。
ARM920T 核由ARM9TDMI,存储管理单元(MMU)和高速缓存三部分组成。其中MMU 可以管
理虚拟内存,高速缓存由独立的16KB 地址和16KB 数据高速Cache 组成。
ARM920T 有两个协处理器:CP14 和CP15。CP14 用于调试控制,CP15 用于存储系统控制以及测
试控制。
S3C2410 的资源包括:
1 个LCD 控制器(支持STN 和TFT 带有触摸屏的液晶显示屏)。
SDRAM 控制器。
3 个通道的UART。
4 个通道的DMA。
4 个具有PWM 功能的计时器和一个内部时钟。
8 通道的10 位ADC。
触摸屏接口。
IIS 总线接口。
2 个USB 主机接口,1 个USB 设备接口。
2 个SPI 接口。
SD 接口和MMC 卡接口。
看门狗计数器。
117 位通用I/O 口和24 位外部中断源。
8 通道10 位AD 控制器。
S3C2410 集成了一个具有日历功能的RTC 和具有PLL(MPLL 和UPLL)的芯片时钟发生器。
MPLL 产生主时钟,能够使处理器工作频率最高达到203MHz。
S3C2410 将系统的存储空间分为8 组(Bank),每组的大小是128MB,共1GB。Bank0 到
Bank5 的开始地址是固定的,用于ROM 或SRAM。Bank6 和Bank7 用于ROM,SRAM 或SDRAM,这
两个组可编程且大小相同。Bank7 的开始地址是Bank6 的结素地址,灵活可变。所有内存块的
访问周期都可编程。S3C2410 采用Ngcs[7:0]8 个通用片选信号选择这些组。
S3C2410 支持从NAND FLASH 启动,NAND FLASH 具有容量大,比NOR Flash 价格低等特点。
系统采用NAND Flash 与SDRAM 组合,可以获得非常高的性价比。S3C2410 具有三种启动方式,
可以通过OM[1:0]管脚进行选择:
OM[1:0]=00 时处理器从NAND Flash 启动;
OM[1:0]=01 时处理器从16 位宽的ROM 启动;
OM[1:0]=10 时处理器从32 位宽的ROM 启动。
用户可以将引导代码和操作系统镜像存放在外部的NAND Flash 中,并从NAND Flash
启动。当处理器在这种启动模式下复位时,内置的NAND Flash 将访问控制接口,并将代码自
动加载到内部SRAM(此时该SRAM 定位于起始地址空间0x00000000,容量为4KB)并且运行。
之后,SRAM 中的引导程序将操作系统镜像加载到SDRAM 中,操作系统就能够在SDRAM 中运行。
启动完毕后,4KB 的启动SRAM 就可以用语其它用途。如果从其它方式启动,启动ROM 就要定
位于内存的起始地址空间0x00000000,处理器直接在ROM 上运行启动程序,而4KB 启动SRAM
被定位于内存地址的0x40000000 处。
S3C2410 对于片内的各个部件采用了独立的电源供给方式:
内核采用1.8V 供电;
存储单元采用3.3V 独立供电,对于一般SDRAM 可以采用3.3V,对于移动SDRAM 可以
采用Vdd 等于1.8/2.5V;
Vddq 等于3.0/3.3V;
I/O 采用独立3.3V 供电。
OM[1:0]=00 时处理器从NAND Flash 启动;
OM[1:0]=01 时处理器从16 位宽的ROM 启动;
OM[1:0]=10 时处理器从32 位宽的ROM 启动。
用户可以将引导代码和操作系统镜像存放在外部的NAND Flash 中,并从NAND Flash
启动。当处理器在这种启动模式下复位时,内置的NAND Flash 将访问控制接口,并将代码自
动加载到内部SRAM(此时该SRAM 定位于起始地址空间0x00000000,容量为4KB)并且运行。
之后,SRAM 中的引导程序将操作系统镜像加载到SDRAM 中,操作系统就能够在SDRAM 中运行。
启动完毕后,4KB 的启动SRAM 就可以用语其它用途。如果从其它方式启动,启动ROM 就要定
位于内存的起始地址空间0x00000000,处理器直接在ROM 上运行启动程序,而4KB 启动SRAM
被定位于内存地址的0x40000000 处。
S3C2410 对于片内的各个部件采用了独立的电源供给方式:
内核采用1.8V 供电;
存储单元采用3.3V 独立供电,对于一般SDRAM 可以采用3.3V,对于移动SDRAM 可以
采用Vdd 等于1.8/2.5V;
Vddq 等于3.0/3.3V;
I/O 采用独立3.3V 供电。
