继电器的替代品---ADG5434使用

    在最近的项目中，我们第一版选用继电器切换某些控制信号，比如激励信号、通道切换信号，但是电路板焊接完以后，发现由于继电器的体积大，发热大等缺点，严重影响我们整个系统的性能，所以在本次改版时考虑用模拟开关，代替继电器。

    在选择模拟开关时，我们参照MOS管的性能指标，主要考虑到以下几点：

    A：导通电阻的大小，导通电阻越小越好；

    B：漏电流（漏极电流）大小：

    C: 转换时间：Ton,Toff；

    D：关断隔离度，用来衡量关断通道耦合的无用信号；

E：通道间串扰，由于MOS管每个电极都有寄生电容，由这些寄生电容引起的由一个通道串到另一个通道的干扰；

F：输出衰减3dB时的频率，即带宽。由于我们切换时部分信号为频率信号，所以说这点还是非常重要的。

综合以上几点，我们选用ADG5434代替我们的继电器，因为它的各项技术指标挺符合我们的设计要求，具体如下：

1：导通电阻：13.5欧姆，ADI公司还有几欧姆的，我们主要还考虑到别的因素；

2：漏极电流：±7nA；

3：转换时间：157ns；

4：关断隔离度：-60dB；

5：通道间串扰：-60dB；

以上五点，我们最关心的还是后面三条，转换时间和隔离程度，这是我们切换的核心部分，最关心的仍然是切换彻底不？结构框图如下：

ADG5434的供电方式比较多，双电源供电：±9V至±22V；单电源：9V至22V。ADG5434内置四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关，所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生短路。

ADG5434的突出优点是高压防闩(shuan)锁型，许多人第一眼不认识这个字:闩(shuan)其实这个闩锁效应，是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。

避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。

而ADG543X系列具有很高的防闩锁性，对于大家一直担心MOS管的可靠性，我想从其以上主要的两个特性：

1）：很好的隔离度和通道间串扰；

2)：很高的防闩锁性。

ADG5433的这些特性，加上其封装小，就有很大的优势去替代继电器，相信ADI公司的模拟开关会替代掉很多继电器的，谢谢大家！