电容基本知识->去耦电容的选取
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发表于 1/5/2011 8:19:15 PM
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由于工作的原因,好久都没有来更新我的博客了,今天来了一趟,发现我的访问量又有所增加,这点还是让我感到有点欣慰,不过圈里的技术文章感觉好像有点少,只能在这里增加点圈里的技术气氛了,否则我们的圈子就有点跑题了【做电路做硬件】,呵呵……大家一起努力发现有关的技术文章,娱乐的适量就行,别太多了,否则就要该圈名了。
去耦电容
去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用:
一方面是本集成电路的蓄能电容;另一方面旁路掉该器件的高频噪声。
数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感,它的并行共振频率大约在7MHz左右,也就是说,对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果,对40MHz以上的噪声几乎不起作用。
1μF、10μF的电容,并行共振频率在20MHz以上,去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选 10μF左右。最好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
总结:
去耦电容的选用并不严格,可按C=1/F,即10MHz取 0.1μF,100MHz取0.01μF。
