不能吃冰淇淋的仙女

啥是K4B4G1646E-BCMA

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       K4B4G1646E-BCMA组织为32Mbit x 16I / 0sx 8banks器件。对于一般应用,这种同步设备可实现高达1866Mb / sec / pin(DDR3-1866)的高速数据速率传输速率。

      该芯片的设计符合后续翼键DDR3 SDRAM功能,例如发布的CAS,可编程CWL,内部(自)校准,使用ODT引脚的裸片终端和异步复位。

       所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在与源同步方式的一对双向选通(DQS和DQS)同步的差分交叉点处被锁存。地址总线用于以RAS / C AS多路复用方式传送行,列和存储体地址信息。 DDR3器件的工作电压为1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V),电源电压为1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)。K4B4G1646E-BCMA器件采用96ball FBGA(x16)。


特征

·JEDEC标准1.35V(1.28V~1.45V)和1.5V(1.425V~1.575V)

·VDDQ = 135V(1.28V~145V)和1.5V(1425V~1.575V)

·400MHz fCK,800Mb /秒/引脚,533MHz fCK,1066Mb /秒/引脚,667MHz fCK用于1333Mb / sec /引脚,800MHz fCK用于1600Mb / sec /引脚,933M Hz fCK,1866Mb / sec /引脚

·8Banks

·可编程CAS晚期(CAS):5,6,7,8,9,10,11,12,13

·可编程附加延迟:0,CL-2或CL-1时钟

·可编程CAS写延迟(CWL)= 5(DDR3-800),6(DDR3-1066),7(DDR3-1333),8(DDR3-1600)和9(DDR3-1866)

·8位预取

·突发长度:8,4,tCCD = 4,不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS随时随地]

·双向差分数据选通

·内部(自校准):通过ZQ引脚进行内部自校准(RZQ:240欧姆±1%)

·使用OD T引脚进行裸片端接

·平均刷新周期7.8us低于TCASE 85 C,3.9us at85℃<TCASE <95℃

·K4B4G1646E-BCMA支持Indus试用Termp(-4095 C)

-tREFI 7.8us at-40 OCTCASE≤85C

-tREFI 3.9us at 85OC <TCASE≤95C

·异步复位

·包装:96球FBGA-×16

·所有无铅产品均符合RoHS标准

·所有产品均为Halo gen-free