电路板制作好后对存储器进行测试很重要，看存储器是否能正常工作。之前看到Nios工程模板中有MemTest模板，查了一下，可用此模板测试存储器，下面具体说说测试方法，方便快捷啊。

开发环境：Quartus II 13.0 (64-Bit)  + Nios II 13.0 Software Build Tools for Eclipse

1.      实验基于友晶DE2-70开发板，SDRAM型号为IS42S16160B-7TL，EPCS64（手册上写的是EPCS16，但实际上是EPCS64）

2.      在Qsys中添加组件：

NIOS

ALTPLL

Sdram controller

Epcs controller

Jtag uart

Uart

3.      Pll例化，如下图所示，输入时钟50MHz，nios时钟130MHz，SDRAM时钟130MHz，相称-1.5ns测试，相称部分有公式可以计算

4.      SDRAM例化，如下图所示，可以保存SDRAM参数至library以便下次方便使用。

Sdram的Timing参数如下图所示

5.      组件添加完成后如下图所示，对于连接到总线的存储器模块，如sdram和epcs，需连接data_master和instruction_master，其它连接到总线的模块只用连接data_master。

6.      Nios中新建MemTest模板，运行程序后出来测试选项，先测试SDRAM，再测试EPCS，nios程序在SDRAM中运行。

7.      SDRAM测试结果如下图所示，SDRAM起始地址为0x0400 0000，尾地址为0x05ff ffff，以0x0400 0009为起始地址测试不通过，但以0x0400 0000为起始地址测试却ok，可能是nios在SDRAM中运行占用了一部分存储空间。

8.      Flash测试结果如下图所示

1） EPCS64容量为64Mbit

2） 128个block(sector)，每个block容量为0x10000(64kbit*8=512kbit)

9.      至此，存储器测试完成。

问题注意：

管脚分配不对的话或者SDRAM时钟相称设置不正确，nios程序下载不进去，到64%左右的时候会报错