IIC-China 2011:F-RAM技术带来UHF标签的新革命

发表于 2011/3/7 15:21:47 阅读（3565）

世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 于IIC-China 2011深圳站期间，展示了其MaxArias™无线存储器产品。

MaxArias™无线存储器产品将业界标准无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合，以实现创新性移动数据采集功能。MaxArias产品能够实现大批量数据丰富的资产和信息跟踪系统，适用于多个行业和应用，包括电力智能抄表、航空/工业制造、库存控制、维护跟踪、药物和医疗设备跟踪，建筑安全以及产品认证。是高价值资产跟踪、制造和维护历史数据记录收集，以及智能电表抄表等广泛应用的理想选择。

Ramtron展台现场 Ramtron亚太区副总裁刘胜强

与EEPROM和Flash比较，F-RAM存储器具有卓越的优势。

优势一：对称性读/写能量（高达15m）

目前商业部署比较多的应用是汽车高速公路自动收费系统。传统的汽车RFID标签采用的是EEPROM，它的写入速度比较慢，写入距离也比较近，因此为了让自动收l费系统有足够时间采集数据、处理数据和写回收款后的数据，基本上目前所有的汽车自动收费通道都安装了5.8GHz RF频率，而不是标准的860M-960MHz采集频率，这类系统采集一个设备可能需要长达数秒的时间，因此必须采用更高频率的信号以延长信号辐射距离，从而为读写数据赢得时间，而且对车速也有一定限制，这对于车辆密集的拥堵路段来说是难以接受的。

但如果汽车RFID标签采用F-RAM，汽车自动收费l站就可以采用标准的860M-960MHz数据采集频率，因为F-RAM将写入距离从5m延长到了15m，而且写入速率非常快，1秒内就可对100辆汽车完成读写操作，从而可以大幅节省自动收费系统的部署成本和通关时间，此外，F-RAM写入电压只有1.6V，EEPROM的写入电压高达13V，所以采用EEPROM的存储器的应答器还需要额外的电池供电，而F-RAM不需要，因此可以节省许多功耗。

优势二：耐写性及超低功耗

Ramtron的F-RAM存储器记忆体的耐写性是EEPROM的一亿倍，写功耗是EEPROM的三千分之一。同时，大记忆体容量及低功耗可提供更密集的温度曲线取样记录。