IGBT应用时还需注意在关断时在源射极间会有较大的电压，此时主回路采用软关断技术，并且在IGBT的源射极间加阻容或其他的吸收缓冲电路。同时在关断IGBT的时候du/dt较大，会导致IGBT发生擎住效应，因此在关断的时候要增大栅极电阻Rg，这样可以延长关断时间，以减小过电压。电路改进部分如图3所示，在IGBT开通时EXB841的3脚提供+15 V电压，此时，两个电阻并联使Rg值较小，IGBT关断的时候，EXB841提供一5V电压，此时二极管截止，Rg=Rg2，此时Rg值较大，可以增大关断时间，减小过电压。当然R。阻值的增加会加大IGBT的开关损耗，因此要合理选择Rg和Rg2的阻值。

使用EXB 系列驱动器应注意的问题

l输入与输出电路应分开，即输入电路（光耦合器）接线远离输出电路，以保证有适当的绝缘强度和高的噪音阻抗。使用时不应超过使用手册中给出的额定参数值。如果按照推荐的运行条件工作，IGBT 工作情况最佳。如果使用过高的驱动电压会损坏IGBT ，而不足的驱动电压又会增加IGBT 的通态压降。过大的输入电流会增加驱动电路的信号延迟，而不足的输入电流会增加IGBT 和二极管的开关噪声。IGBT 的栅、射极回路的接线长度一定要小于lm ，且应使用双绞线。电路中的电容器C1 和C2 用来平抑因电源接线阻抗引起的供电电压变化，而不是作为电源滤波用。增大IGBT 的栅极串联电阻Rg ，抑制IGBT 集电极产生大的电压尖脉冲。IGBT 的保护问题。因为IGBT 是由MOSFET 和GTR 复合而成的，所以IGBT 的保护可GTR 、MOSFET 保护电路来考虑。主要是栅源过压保护、静电保护、准饱和运行、采用R －C －VD 缓冲电路等等。这些前面已经讲过，故不再赘述。另外应在IGBT 电控系统中设置过压、欠压、过流和过热保护单元，以保证安全可靠工作。应该指出，必须保证IGBT 不发生擎住效应。具体做法是，实际中IGBT 使用的最大电流不超过其额定电流。