IGBT应注意的问题
IGBT应用时还需注意在关断时在源射极间会有较大的电压，此时主回路采用软关断技术，并且在IGBT的源射极间加阻容或其他的吸收缓冲电路。同时在关断IGBT的时候du/dt较大，会导致IGBT发生擎住效应，因此在关断的时候要增大栅极电阻Rg，这样可以延长关断时间，以减小
发表于 2012/2/27 14:23:51
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IGBT驱动电路设计
驱动电路中VZ5起保护作用，避免EXB841的6脚承受过电压，通过VD1检测是否过电流，接VZ3的目的是为了改变EXB模块过流保护起控点，以降低过高的保护胭值从而解决过流保护阀值太高的问题。R1和C1及VZ4接在+20V电源上保证稳定的电压。VZ1和VZ2避免栅极和射极出现过电压
发表于 2012/2/27 14:19:52
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IGBT工作原理
工作原理如图所示：工作原理当EXB841输人端脚14和脚15有10mA的电流流过时，光祸ISO1导通，A点电位迅速下降至0V,V1和V2截止;V2截止使D点电位上升至20V,V4导通，V5截止，EXB8
发表于 2012/2/27 14:17:20
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IGBT性能
能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间,由于电路中其它部分的工作,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号。这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗,重则将使逆变电路处于短路直通状态。因此,最好给应处于截止状态的IGBT加一反向栅压(幅值
发表于 2012/2/27 14:11:22
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IGBT驱动电路
绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一种由双极晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性，又具有双极晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特点，近年来在各种电力变换装置中得到广泛应用。但是，IGBT的门极驱动
发表于 2012/2/27 14:06:50
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