SDRAM芯片的预充电与刷新操作(转摘资料)
07：SDRAM芯片的预充电与刷新操作预充电由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以
发表于 2014/7/9 14:20:19
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SDRAM的结构、时序与性能的关系（下）(转摘资料)
10：SDRAM的结构、时序与性能的关系（下）四、内存结构对PHR的影响这是结构设计上的问题，所以单独来说。在我们介绍L-Bank时，曾经提到单一的L-Bank会造成严重的寻址冲突。现在，当我们了解了内存寻址的原理后，就不难理解这句话了。如果只有一个L-Bank，那么除非是背靠
发表于 2014/7/9 14:18:28
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SDRAM的结构、时序与性能的关系（上）(转摘资料)
09：SDRAM的结构、时序与性能的关系（上）在讲完SDRAM的基本工作原理和主要操作之后，我们现在要重要分析一下SDRAM的时序与性能之间的关系，它不在局限于芯片本身，而是从整体的内存系统去分析。这也是广大DIYer所关心的话题。比如CL值对性能的影响有多大几乎是每个内存
发表于 2014/7/9 14:16:46
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vivado环境下开发ZYNQ7000 教程 2 (摘自网易资料)
vivado环境下开发ZYNQ7000教程22014-02-2014:24:30|分类：ZYNQ相关|举报|字号订阅这两本书怎么说呢，我觉得第二本更像是官方文档的堆砌吧（不喜勿喷），洋洋洒洒近600页，真正我想看的内容却少之又少。第一本书更适合入门（其实相
发表于 2014/7/9 14:09:54
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vivado环境下开发ZYNQ7000(摘自网易资料)
vivado环境下开发ZYNQ70002014-02-2014:29:56|分类：ZYNQ相关|举报|字号订阅ARM已经在国内流行得一塌糊涂，各类教程、开发板（S3C2440,6410）层出不穷，归结下来，传统ARM开发包括以下几个步骤：（1）硬件电路板设计（对于Zedboard
发表于 2014/7/9 14:07:35
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