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UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的区别

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DIMM简介

DIMM(Dual Inline Memory Module,双列直插内存模块)与SIMM(single in-line memory module,单边接触内存模组)相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM,SDRAM的接口与DDR内存的接口也略有不同,SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构,金手指每面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入插槽时,错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构,金手指每面有92Pin,金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同,是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构,金手指每面有120Pin,与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口,但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同,因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的,同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的,因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上,不会出现将内存插错插槽的问题。


UDIMM、RDIMM、SODIMM以及LRDIMM的区别


UDIMM,Unbuffered DIMM,定位于  桌面市场,指地址和控制信号没有经过缓冲器,没有做任何时序调整(缓冲器延迟是有的),直接到达DIMM上的DRAM芯片。而Registered内存模组则对地址和控制信号等进行寄存,在下一个时钟到来时再触发输出。


RDIMM,Registered DIMM,定位于工作站和服务器市场,指地址和控制信号经过寄存,时钟经过PLL锁相。相对于UDIMM,RDIMM更稳定,容量更大,但是对于单个的读写访问要滞后一个时钟周期。 Registered内存本身有两种工作模式,即 Registered模式和Buffered模式。在支持Registered工作模式的主板上工作时,Registered内存工作于 Registered模式,这时主板上的地址信号和控制信号会比数据信号先一个时钟周期到达DIMM,送入Register芯片后会在其中停留一个时钟周期,然后在下一个时钟信号的上升沿从Register输出,与此时从主板上到达DIMM的数据信号一起同时传送到SDRAM。当Registered内存工作在普通的主板上时,为Buffered工作模式,这时所有的信号也基本上是同时到达DIMM再同时传送到SDRAM,Register芯片这时在功能上只相当于一个简单的Buffer,其输入到输出之间是直通的,只简单的起到改善地址信号和控制信号的作用,时序上与Unbuffered内存是一样的。Registered DIMM和其他内存条相比增加了两种关键的器件,PLL和register。


SODIMM,Small Outline DIMM,定位于笔记本市场,UDIMM和RDIMM都隶属于DIMM,内存模组的长度等,包括金手指的信号分布在内都是一样的。而SODIMM可以理解为小一号的内存模组。


LRDIMM,Load-Reduced DIMM,不使用比较复杂的寄存器,而是使用简单缓冲。缓冲降低了在下层主板上的电力负载,但对能源与内存性能几乎无影响。不似RDIMM与LRDIMM让服务器制造商在每个内存通道上放更多模块。因此,LRDIMM设计能包含大型卷系统内存,而不产生高的延迟费用。


具体的区别和应用领域,大家可以到镁光半导体网站上去了解一下:

https://www.micron.com/products/dram-modules

dram_module_reference_guide_EN.pdf