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意法半导体(ST)的32位微控制器获德国莱默尔公司的生产线控制面板采用

横跨多重电子应用领域、全球领先的微控制器供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布其最先进32位微控制器获全球知名的工业自动化设备供应商德国莱默尔(Erhardt+Leimer)公司采用,用于操作简易的新一代触摸屏式生产线控制

70种IC的封装术语

1、BGA(ballgridarray)球形触点陈列,表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可

LED静电防范和储存应注意事项

一、器件使用者的防静电措施凡接触静电敏感器件的人员(生产、装配、测量、调试、保管、发放等),均应注意以下事项:1、使用防静电腕带(或肘带、踩带);2、穿着防静电工作服、鞋、帽;3、应避免可能造成静电损伤的操作;1-1从包装袋内倾斜器件出来时,

牛人用十年的经验告诉同仁们职场的那些潜规则

世界经理人办公伙伴讯:职场没有所谓的单纯友谊,也没有不劳而获的收获,走的每一步都要分外小心。1.入职时的工资高低不重要,只要你努力工作你会得到相应待遇的?估计几乎找过工作的人都听过这句话,当我们确定被聘用跟公司谈工资

开关电源EMC必须掌握的几个概念

1.电磁干扰的产生与传输电磁干扰传输有两种方式:一种是传导传输方式,另一种则是辐射传输方式。传导传输是在干扰源和敏感设备之间有完整的电路连接,干扰信号沿着连接电路传递到接收器而发生电磁干扰现象。辐射传输是干扰信号通过介质以电磁波的形式向外传播的干扰形式

PCB电磁兼容解析

印制电路板(PCB:PrintedCircuitBoard)目前已广泛应用于电子产品中。随着电子技术的飞速发展,芯片的频率越来越高,PCB,特别是高速PCB面临着各种电磁兼容问题。传统的基于路的分析方法已经不能准确地描述PCB上各走线的传输特性,因此需要采用基于电磁场的分析方法充

月薪5000在中国和美国的生活

转载近日,一条微博在互联网上疯狂流传:中国,工资5000元,吃次肯德基30元,下馆子最少100元,买条Levis牛仔裤400元,买辆车最少30000元——夏利;美国,工资5000美元,吃次肯德基4美元,下馆子40美元,买条Levis20美元,买辆车最多30000美元&md

科学家研究发现人类大脑进化已达到极限

英国分子生物学家以及作为1953年确定DNA结构专家之一的弗朗西斯-克里克曾经在其著作中说过:“如果我们想要正确地确定我们(人类)在这个广阔而复杂宇宙中的位置,就必须精确地了解我们的大脑。”

中国芯片业为何赶不上美国?

环球时报原引美国《商业周刊》文章原题:为什么中国的芯片业赶不上美国?上世纪八十年代,美国对日本可能成为制造业和技术方面的主导者深感忧虑。这种担忧从来也没有成为现实。今天,同样的担忧又集中在了中国身上。这个中央王国似

英特尔发布3D晶体管技术延伸摩尔定律

当苹果的iPad与iPhone拿在手里时,感觉如今的生活在移动中变得非常方便。然而苹果公司是全球半导体业中的最大客户,估计它在2011年中会消耗掉200亿美元的半导体,约占整个半导体市场需求的6%。此外,大约70%的苹果公司芯片需求或折算约140亿美元的市场需求都是采用NAND

晶体管进入3-D时代

自从1947年晶体管问世以来,晶体管技术飞速发展,为开发更强大、成本效益更好、能效更高的产品铺平了道路。要想按照摩尔定律的步调不断进步,就必须进行大量创新。近期值得关注的创新成果是应变硅(英特尔于2003年推出)和高-k金属栅极(英特尔

赛灵思:超越摩尔定律

“在北欧神话中,雷神托尔因为执有一把‘雷神之锤’成为宇宙力量的化身,只有具有强大力量的英雄才具有资格掌握‘雷神之锤’。”——刚刚上映的电影《雷神》中,只有拥有智慧的头脑和强大的力量的人才能成为某个领域的主导者。

MOSFET与IGBT的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(C)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和

MOSFET基础知识点滴二

从目前的角度来看MOSFET的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极(gateelectrode)使用金属作为其材料,但随著半导体技术的进步,现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取

MOSFET的工作原理

要使增强型N沟道MOSFET工作,要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示。若先不接VGS(即VGS=0),在D与S极之间加一正电压VDS,漏极D与衬底之间的PN结处于